电子技术 模拟部分 第四节 半导体三极管.pptVIP

* 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 第四节 半导体三极管 一、三极管的结构与符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 二、三极管的电流放大作用 1、电流放大的原因 三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来 内部条件：内部结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置 2. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制 载流子 （以NPN为例） 载流子为自由电子 3、实际偏置电路 Ic IE IB RB EB EC RC N N P 一般参数 EC EB RB RC 三极管的电流分配关系： IE = IB + IC 而且 IC 》IB ， △IC 》△IB IC = ? IB ； IE =(1+ ?) IB ； iC = ? iB ； iE = (1+ ?) iB ； 三极管的交流放大系数： ?=△IC /△IB 三极管的直流放大系数： ?=IC /IB 三、三极管的特性曲线 极间电压和各极电流之间的关系； 包括输入特性和输出特性两组； B C IB RB EB EC RC Ic IE E 输入回路： EB 、 RB 、B、E； 输出回路： EC 、 RC 、C、E； 共射电路 UCE UBE V 1、输入特性 IB = f（ UBE ）| UCE = 常数 2、输出特性 IC = f（ UCE ）| IB = 常数 从输出特性曲线上，将三极管划分为三个工作区： 截止区、放大区、饱和区； 输入特性曲线（UCE =1V） UBE(v) IB (uA） UCE ? 1 0.2 0.4 0.6 0.8 截止区 （1）截止区 UBE小于死区电压（或发射结反偏） IB =0；IC = ICEO （穿透电流）； （2）放大区 发射结正偏，集电结反偏： IC 与 UCE 几乎无关； IC 大小IB控制； △IC 》△IB 定义 ? = △IC /△IB = IC /IB ） UBE ：硅0.7v ; 锗0.3v （3）饱和区 UBE UCE （集电结正偏）： 集电极饱和电流 ICS ? IB ； IC 大小不再受IB控制； ICS = （ EC - UCES ）/ RC ； ICS = ? IBS U B C IB RB EB EC RC Ic IE E UCE UBE V 四、主要参数 1、交流放大倍数与支流放大倍数 2、 ICBO 集电极-基极反向饱和电流： 受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素； 3、 ICEO 穿透电流： 受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素； 4、几个极限参数： ICM：集电极最大电流； UCEO： 集-射反向击穿电压； PCM ：集电极最大允许功耗； 五、温度对参数的影响 1、对ICEO和ICBO的影响； 2、 ?：温度升高1℃， ?值增大0.5%~1%; 3、对UBE的影响：温度升高1℃， UBE 约下降2~2.5mv; 4、温度升高， IC值增大; 第五节 基本放大电路 一、放大器的一般概念 电压放大器 功率放大器 直流电源 话筒 扬声器 晶体管放大器 AU UO Ui = 电压 放大 器 + - RS US Ui Uo RL 1 1 2 2 AU UO Ui = 电压放大倍数 电压放大器的基本要求： 具有足够高的电压放大倍数，尽可能小的失真。 1、例子： 2、电压放大器 AU Ui Uo 电压放大器框图 二、放大器的组成 放大电路说明： 1、必须保证三极管处于放大状态：发射结正偏，集电结反偏； 2、耦合电容：隔直通交，交流耦合；