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第四章 单晶硅材料 硅材料是半导体行业中最重要且应用最广的元素半导体，是微电子工业和太阳能光伏工业的基础材料。 它既具有元素含量含量丰富、化学稳定性好、无环境污染等优点，又具有良好的半导体特性。 半导体特性 ①在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—这是半导体最显著、最突出的特性。 ②当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就显著的下降—这种特性称为“热敏”。 ③当有光线照射在某些半导体死，这些半 导体就像导体一样，导电能力很强；当没有光照射时，这些半导体体就像绝缘体一样不导电，这种特性特性称为“光敏”。 硅材料有多种晶体形式，包括单晶硅、多晶硅和非晶硅，应用于太阳电池工业领域的硅材料包括直拉单晶硅、薄膜非晶硅、铸造多晶硅、带状多晶硅和薄膜多晶硅，他们有各自的优缺点，其中直拉单晶硅和铸造多晶硅应用最为广泛，占太阳能光电材料的90%左右。 单晶硅是硅材料的重要形式，包括区熔单晶硅和直拉单晶硅。 对于区熔单晶硅而言，是利用感应线圈形成区域熔化，达到提纯和生长单晶的目的。这种单晶硅的纯度很高，电学性能均匀，但是，其直径很小，机械加工性差。虽然太阳电池的光电转换效率高，但是生产成本很高，一般情况下，区熔硅应用在太阳电池的大规模生产上。 单晶硅片的一般制作流程： 4.1 硅的基本性质 4.2 太阳电池用硅材料 4.3 高纯多晶硅的制备 4.4 太阳能级多晶硅的制备 4.5 区熔单晶硅 4.6 直拉单晶硅 4.7 硅晶片加工 4.1 硅的基本性质 硅材料是目前世界上最主要的元素半导体材料，在半导体工业中广泛应用，是电子工业的基础材料。其中单晶硅材料是目前世界上人工制备的晶格最完整、体积最大、纯度最大的晶体材料。 硅是地壳中最丰富的元素之一，仅次于氧，在地壳中的丰度到达26%左右，硅在常温下其化学性质是稳定的，是具有灰色金属光泽的固体，不溶于单一的算，易溶于某些混合酸和混合碱，在高温下很容易与氧等化学物质反应。所以自然界中没有游离的单质硅存在，一般以氧化物存在，是常用硅酸盐的主要元素。硅在元素周期表中属于IV元素，晶体硅在常压下为金刚石结构，熔点为1420℃。 硅材料还具有一些特殊的物理化学性能，如硅材料熔化时体积缩小，固化是体积增大。硅材料的硬度大，但脆性大，易破碎；作为脆性材料，硅材料的抗拉应力远远大于抗剪切应力，在室温下没有延展性；在热处理温度大于750℃时，硅材料由脆性材料转变为塑性材料，早外加应力的作用下，产生滑移位错，形成塑性变形。 硅具有良好的半导体性质，其本征载流子浓度为1.5×1010个/cm3，本征电阻率为1.5×1010Ω·cm，电子迁移率为1350cm2/（V·s），空穴迁移率为480 cm2/（V·s）。 *迁移率和载流子浓度一起决定半导体材料的电导率的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。 作为半导体，硅材料具有典型的半导体材料的电学性质： ①电阻率特性 硅材料的电阻率在10-5-1010Ω·cm之间，介于导体和半导体之间，高纯未掺杂的无缺陷的晶体硅材料称为本征半导体，电阻率在106Ω·cm以上。硅材料的导电性还受到光、电、磁、热、温度等环境温度因素的明显影响。 ②p-n结特性 n型半导体和p型半导体材料相连，组成p-n结，这就是所有硅半导体器件的基本构造，也是太阳电池的基本结构，具有单向导电性等性质。 ③光电特性 与其它半导体材料一样，硅材料组成的p-n结在光的左右下能产生电流，如太阳电池。 在自然条件下，硅材料表面可以被氧化，生成数纳米至数十纳米的自然氧化层。经氧气氧化，硅表面生成一层致密的绝缘二氧化硅层，可以作为硅器件的保护层和选择扩散层，也可以作为绝缘层，因此，硅材料是超大规模集成电路的基本材料。 硅原子的电子结构为1s22s22p63s23p2,经过杂化，硅原子形成4个等同的杂化轨道，有一个未配对的电子，如图4.1所示，所以杂化轨道的对称轴恰好指向正四面体的顶角。 每个硅原子外层的4个未配对的电子，分别与相邻的硅原子的一个未配对的自旋方向相反的价电子组成共价键，共价键的键角是109°28′，其结构如图4.2所示。 晶胞中含有的总原子数为8，硅的晶格常数a=5.4395A，相邻原子间距为