大功率半导体器件芯片烧结工艺改进.pdfVIP

《冶金自动4E}2012年S1 大功率半导体器件芯片烧结工艺的改进 尤金霜，李永建，李红梅，任世强 (北京金自天正智能控制股份有限公司半导体事业部，北京100071) mm，并在大型卧式真空烧结 摘要：在现有的硅．铝一钼烧结工艺的基础上，将钼圆片由原来的5咖厚减薄到4．5 炉，温场更为均匀的情况下进行烧结。结果表明，该工艺仍然能得到浅而平坦的烧结合金结，并能保持器件的 反向阻断特性和通态特性。保持一定的成品率，且降低了产品成本，响应了节能、低碳的生产要求。 关t词：晶闸管；烧结；合金；钼片减薄；工艺改进 0 引育 的平整度要求极为严格，但是由于需要上、下两块 目前，晶闸管研发技术和生产工艺得到了长 钼圆片定位，因此成本很高。兼顾成本和质量因 足的进步和提高，芯片尺寸越来越大，耐压能力、 素，我们起初的思路是小尺寸的芯片采用烧结技 电流容量和功率容量不断攀升。晶闸管广泛应用 术，大尺寸的器件采用全压接技术。 于国民经济的各个领域，功率半导体器件作为电 硅片和金属合金化，产生应力是主要原因。硅 片直径越大变形越严重，4英寸(1英寸=2．54cm， 力电子装置的核心部件，其质量和可靠性在很大 程度上决定了装置的性能。 下同)的器件变形要大于150“m以上，这使得器件 在一定的压力下会在阴极表面产生不均匀的应力， 在电力半导体器件生产中，烧结质量的好坏 造成器件电热特性和机械性能的衰减。 直接影响元器件的电特性和热特性。目前，北京 2实验方法及结果 金自天正智能控制股份有限公司采用的烧结工艺 取同一批硅圆片(具有相同的扩散参数)，数量 是在3×10。3Pa真空和680—720℃温度条件下 mm 约为40—50片，分成相等的两部分，一部分与5 用纯铝(99．999％)圆片将硅圆片和钼圆片烧结合 mm厚的 厚的圆钼片进行烧结合金，另一部分与4．5 金在一起。由于铝是受主杂质，所以采用此种工 圆钼片进行烧结合金，烧结后进行编号。 艺制造烧结端为P型的普通晶闸管还是可以的， mm的4．5mm厚钼圆片、 (1)首先将直径100 但此种工艺仍存在缺陷，合金结深、合金层不平坦 5mm厚钼圆片、0．42—0．45inm厚铝圆片、 并伴有空洞现象，影响元器件的特性参数。 O．98 mm厚硅圆片进行洁净处理，然后将同种厚度 为解决上述问题，本文通过减薄钼圆片，在相 的钼圆片、铝圆片、硅圆片依次放入石墨模内，每 同条件下进行对比实验，结果表明钼圆片减薄后，