电离辐射环境中的高速CMOS电路时间特性退化及其机理的研究.pdfVIP

第9届垒国核电子学与枝探测技术学术年会论文集 9llI眦i。rIaI oftlIe c。rI衙∞∞∞№Ie盯EIecl啪b№b甜D砒cI．啪h打10Ioay Pr∞ee咖gs 电离辐射环境中的高速CMOS电路时间 特性退化及其机理研究 余学峰严荣良 郭旗 陆妩张国强任迪远 (中科院新疆物理研究所，乌鲁木齐，830011) 本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量辜。不同辐照德置)下的高燕s‘HCa由0s电麝的时间参敷响应 特性进行了研究．井对其辐J曙退化及失效机翻进行了探讨。取得了一些有价值的研究堵呆． 关t调ta∞06电路总荆量辐射 1引言 54Hc系列QJOs器件与一般CMOS器件相比．一个突出优点是速度快．虽然对有关 54Hc系列电路的总剂量辐射教应研究已有不步报道．但这些研究大多集中在直流参敦的总 剂量辐射响应特性上，对其时间响应特性的研究，尚不充分．随着卫星、航天器和军事系统对器 件速度水平要求的不断提高，积极进行54HC系列高逮o“)S电路的时间特性对总荆量辐射 响应的研究巳显得非常必要和迫切． 本文对不同总剂量辐射环境下的smc电路对闯参数辐射响应特性和失效机理进行了研 究，取得了一些重要的研究成果． 2实验结果及讨论 2．1高速s4HccMOs电路时间参数对总剂量辐射的响应特性 研究试验样品为国内加固器件制造单位之一以常规工艺制作的54Hc04电路．图l为 54HC04电路在3Gy(Si)／5的辐照剂量率下·其格出上升时间L、下降时间正、延迟时间2■ 和丁一分别随总剂量的变化关系．从图中可以看到，随着辐照累积剂量的增加，器件的瓦和 7■总体增加变化不大，甚至有所减小，而E和7■却有较大幅度增大．分析认为，丑和7■的 减小主要是由于器件在辐照中N构两电压负向漂移．绝对值减小，导致N沟开启速度加快引 起的．而正和7■辐照后较大幅度的增大则是由P沟闻电压负向漂移。绝对值增大，导致P沟 开启速度变慢所引起的． 2．2不同辐照偏置状态的时问响应特性 电离辐射导致的高速CM0s器件的时间性能参数退化，不仅与辐照累积总荆量有关，而 且与工作加偏状态有密切的关系．以对总剂量辐射敏感且较重要的时间参数t为例(如图1 所示)，输入端+5V偏置条件下样品的的t变化最大，在景积剂量为500Gy(Si)时，其L从辐 照前的不到6m增加到了80m左右，而变化最小的oV偏置条件下t仅增加约lo∞，浮空偏 置状态下的t变化幅度则在上述两种之间。这一实验现象表明，高速cMOs电路的总剂量辐 B 照时间响应特性对辐照偏置表现出相当强的依较性，而这种依赖性与闻电压、静态功耗电疯的 辐照损伤对辐照偏置的依赖性具有一致性，显示有相同的最劣辐照偏量· 圈1 L、n、1k和7-与总剂量的关系 2．3不同辐照剂量率的时间响应特性 (si)／s下随总剂量的变化关系，从图2a可以看到，两种剂量率条件下。OV偏置辐照的样品的 T■变化都较小，差异不大．但5V辊照偏置条件下，两种剂量率下的了k都有较大幅度增加， 且低剂量率辐照的样品的7k比相应高剂量率辐照的大，原因是低剂量率辐照条件下，样品P 沟产生较多的界面态，导致其开启速度变慢．图2b中，5V辐照偏置条件下，两种剂量率辐照的 样品的7■都随辐照累积剂量的增加而减小，且差异不大，其原因是5V偏置条件下，N沟氧 化物电荷大量增加，导致N沟开启电压负溧，N沟开启时间加快I ov辐照倔置条件下，低剂量 率辐照的样品的瓦h随辐照累积剂量的增加而增大，而相应高剂量率辐照的样品的1■反而 减小，分析认为，样品在低剂量率oV偏置辐照下，N沟界面态大量增加导致的N沟开启速度 变慢是其主要原因．‘ 7 总荆量／Gy 田2不同辐照剂量率下输出延迟与总剂量的关系 2．4总剂量辐照下的弘Ⅱc高遗a嘲嘴电路时同参数失效分析 图3为54Hc04试验电路在输入脉冲一定，辐照剂量率为3