掺铕氮化镓纳米粉末的制备与性能表征.pdfVIP

第十三届全国固体薄膜学术会议（NCTSF2012 ，山东烟台，2012 年 8 月） 掺铕氮化镓纳米粉末的制备和性能表征  1,2,3 1 1,3 1 1 史建平 ，曾雄辉 ，韩佰祥 ，邱永鑫 ，徐科 1 （中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215123） 2 （中国科学院理化技术研究所 北京 100190） 3 （中国科学院研究生院 北京 100049） 摘要：稀土掺杂氮化镓有非常广泛的应用，如波导，光涂层，光电子器件等。我们通过将氧 化镓和氧化铕固相粉末混合后通氨气氮化的方法研究了氮化镓掺铕的特性。掺杂铕的浓度分 别控制在为 1～5at.％，氮化温度分别在 900℃、1000℃、1100℃。合成的粉末用 XRD 研究 发现，氮化镓均为六方结构,观察发现颗粒尺寸大约在 12nm。对于掺杂 2at.％的粉末，在 900℃氮化后仍有氧化铕的峰，而将氮化稳定升高到 1000、1100℃未发现氧化铕峰；在 1000℃氮化时，当铕掺杂浓度为 3at.％、5at.％时有氧化铕的峰，当铕浓度为 1at.％、 2at.％没有发现氧化铕的峰。掺铕氮化镓阴极荧光（CL）研究发现在常温下没有氮化镓的带 边锋，铕离子 5 7 D F 发光峰分裂为 612，617，620nm。对掺铕氮化镓的形成机理、相关光学 0 2 特性进行了分析和讨论。 关键词：氮化镓，铕掺杂，阴极荧光 1. 引言 III–V 族氮化物从紫外到可见范围的光电子器件上有潜在的应用，所以引起了人们的广发关注。 例如发光二极管，紫外或者蓝色激光，全光显示器 1–3。氮化镓禁带宽度为 3.39ev，化学稳定性好。氮 化镓掺杂稀土离子在常温下荧光猝灭降低 4 ，和 Si、GaAs 半导体相比，稀土离子在氮化镓中有更高的 荧光效率 5 。大多数情况下通过 MBE,MOCVD,离子溅射等方法合成氮化镓薄膜 6-10 。也有一些文章合成粉 末氮化镓 11-12 3+ 3+ 3+ 3+ 。在稀土掺杂中，以氮化镓为基质，Er 可以发射红外和绿光，Tb 发射绿光，Sm ，Pr ， Eu3+发射红光。在 MIS 结构中红、绿、蓝的电致发光已经显示出来 13,14,15。铕离子掺杂是种很有前景的 工作。铕离子在 622nm 发射红光，在 InGaN 中由于相分离很难得到红色发光 16。所以铕离子掺杂氮化镓 可以很好的解决这一问题，可以替代 InGaN。掺铕的氮化镓薄膜或者粉末还可以制作场致发光器件,铕 掺杂的氮化镓既有铁磁性也有顺磁性。目前有报道使用 Ga(NO ) 6H O,Eu(NO ) 6H O 和 N H 作为反应物 3 3 2 3 3 2 2 4 17，通过氧化的方法合成掺铕的氮化镓粉末。Ga(NO ) 6H O,Eu(NO ) 5H O，GaCl ，EuCl ，GaF ,+HF,EuF 3 3 2 3 3 2 3 3 3 3 18 11 合成前驱体，然后冷冻干燥后的前驱体氮化 。还有通过金属镓直接氮化，铋作润湿剂合成氮化镓 。