CMOS射频低噪声放大器设计.ppt

低噪声放大器(LNA) 张玉明 西安电子科技大学微电子学院 zhangym@xidian.edu.cn 为什么要学习噪声知识？ 电路能处理的信号的最小值等于噪声的水平 设计AIC时通常需要考虑噪声指标 体现在信噪比（SNR）这一指标上 低噪声AIC在很多领域有重要应用 统计学特性 噪声是一个随机过程 每一时刻的幅值是不能预测的 哪些特性可以被预测？ 平均功率、功率谱密度（噪声谱）、幅值分布 平均功率 噪声谱 噪声谱 PSD在整个频率范围内为相同值 白噪声 定理 适用于线性时不变系统 分析电路噪声时的理论依据 噪声谱被H(f)“整形” “双边”谱和“单边”谱 X(t)如果是实数，则SX(f)为f的偶函数（“双边”谱） 从数学角度看 [f1，f2]频率范围内x(t)总功率Pf1,f2 用带通滤波器测量的结果为“单边”谱（0到+?Hz） 幅值分布 概率密度函数 噪声瞬时值不可预测，但通过长期观察、统计，可以得到每个值出现的概率大小 PDF：Probability density function，定义为： 许多随机量的PDF表现为高斯（正态）分布，如电阻的噪声 相关噪声源和非相关噪声源 电路中通常同时存在多个噪声源 相关噪声源 噪声功率不可以直接叠加 非相关噪声源 不相关器件产生的噪声；噪声功率可以直接叠加 相关噪声源和非相关噪声源 噪声的分类 “环境”噪声和器件噪声 “环境”噪声指来自电源线、地线、衬底等“外环境”的噪声（干扰） 器件噪声指构成AIC的器件本身所产生的噪声，如电阻、MOS管等 器件噪声 热噪声 电阻噪声、MOS管的沟道热噪声 闪烁噪声 MOS管 热噪声 来源 导体中载流子的随机运动，引起导体两端电压波动 随机运动程度与绝对温度有关，因此噪声谱与绝对温度成正比 电阻的热噪声 RC电路的输出噪声 计算RC电路的输出噪声谱和总噪声功率 用电流源来表示热噪声 噪声可以用串连电压源来表示，也可以用并联电流源表示 多种表示的意义 选择合适的表示法，会降低电路分析的复杂度 完整表征噪声需要这两种表示法——见“输入参考噪声”部分 MOS管沟道区的热噪声 MOS管欧姆区的热噪声 欧姆区热噪声 栅、源、漏的材料电阻引入的热噪声 MOS管的闪烁噪声 来源 载流子在栅和衬底界面处的俘获与释放，导致源漏电流有噪声 用与栅极串联的电压源来模拟 载流子俘获与释放多发生在低频下 其噪声功率与所选工艺密切有关 MOS管的闪烁噪声 MOS管的总噪声 在1KHz—1MHz频带内，计算NMOS管源漏电流的总噪声 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 电路中噪声的表示 二端口网络的噪声系数 二端口网络的噪声系数 MOS最小噪声系数和最佳噪声匹配 MOS最小噪声系数和最佳噪声匹配 射频放大器中的功率匹配与噪声匹配 低噪声放大器技术指标 LNA特点 主要参数：噪声系数、低功耗、放大器增益、输入阻抗匹配、线性度、隔离度等 LNA特点 (1) 位于接收机的最前端，这就要求它的噪声越小越好 (2)为了抑制后面各级噪声对系统噪声的影响，并对接收到的微弱信号进行足够的线性放大，要求放大器有足够大的线性范围，而且增益最好是可调节的。 (3)低噪声放大器一般通过传输线直接和天线或滤波器相连，故放大器的输入端必须和它们有很好的匹配，以达到最大功率传输或最小噪声系数。 (4)应具有一定的选频功能，以及抑制带外和镜像频率干扰的能力 噪声系数 输入信号的信噪比与输出信号的信噪比的比值，表示信号经过放大器后质量的变坏程度。 实现低噪声的基本思路是:采用单管单级放大，以减小有源器件引入的噪声; 因为电阻有热噪声，所以匹配网络宜用电感负反馈，而不宜用电阻负反馈。 整个接收机所允许的噪声系数一般在3dB以下。 噪声系数 噪声系数用噪声温度（T）来表示：噪声系数与噪声温度的关系为： T=（NF-1）T0 或 NF=T/T0 +1 (T0-绝对温度290K) n级放大器的总噪声系数为： 低功耗 实现器件便携化、小型化的重要指标。 降低功耗的根本方法是采用低电源电压、低偏置电流。 放大器增益 放大器输出功率与输入功率的比值： G=Pout / Pin 提高低噪声放大器的增益对降低整机的噪声系数非常有利，但低噪声放大器的增益过高会影响整个接收机的动态范围。 低噪声放大器的增益要适中，一般增益在10-20dB之间。 控制增益的方法 改变放大器的工作点，由于LNA的增益与放大管的偏置有关，故可通过改变放大管的偏置条件来实现增益可控; 改变放大器的负反馈; 改变放大器谐振回路的Q值。 这些方法都是通过载波电平检