中子衍射应力分析谱仪的模拟与优化.pdfVIP

中子衍射应力分析谱仪的模拟与优化.pdf

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全国核技术及应用研究学术研讨会院青年科协专题分会场 中子衍射应力分析谱仪的模拟和优化 陈华,黄朝强,孙光爱,陈波 ( 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 绵阳 621900) 摘要 本文选择中子散射谱仪蒙特卡罗模拟软件McStas 作为研究工具,对中子衍射应力分析谱仪各 部件,包括中子导管、单色器、准直系统进行模拟和优化。本文研究结果可为中子衍射应力分析谱 仪建设提供必要的参考数据,对中子衍射应力分析技术的发展有一定促进作用。 关键词:蒙特卡罗模拟;中子衍射应力分析谱仪;McStas 中图分类号:O571.56 材料或部件在加工制造和/或载荷服役过程中会产生残余应力,从而影响材料或部 [1] 件的稳定性、抗疲劳强度、静强度等使用性能 ,因此测量材料或部件中的残余应力对 于改进制造工艺并预测其安全性至关重要。随着我国工业水平的不断提高,对残余应 力的测量有着广泛的社会需求。残余应力测量方法有钻孔法、磁性法、X 射线衍射法 等。中子衍射法是在附加外场 (温度、压力等)条件下测量工程部件内部深处应力场 的唯一非破坏性方法。国外众多中子散射实验室纷纷建立了中子衍射应力分析谱仪开 展残余应力测量工作,如澳大利亚核科学技术组织 (ANSTO )的 KOWARI、法国劳厄 - 郎之万研究所 (ILL)的 SALSA[2]等。随着谱仪性能的提升其结构越来越复杂,这时 可采用射线跟踪方式的蒙特卡罗模拟方法设计优化谱仪。本文简要介绍了中子衍射应 力分析谱仪的测量原理,并运用蒙特卡罗模拟技术对谱仪进行了模拟研究,对光路进 行了优化设计。 1 中子衍射应力分析原理 一束入射波矢为 ki 的单色中子入射到多晶样品上,对于无应力样品晶面间距为 d 的晶面,将在满足布喇格方程的衍射角2 θ方向产生衍射峰,如图 1。残余应力会引起 试样晶格面间距的变化 ? d ,相应的衍射峰位置偏移 ? ?=-tan?×? d/d 。则散射矢量方向 的晶格应变e = ? d/d = -? ?×cot?。在样品的某点处六个方向做上述测量,就可获得该点 1 应力状态对应的应变张量。最后通过胡克定律,将应变转化为应力。 Q Scattering vector Diffracted wave vectork f Incident wave vectork i 2 q Diffracting planes 图1 布喇格散射定律示意图 Fig. 1 Schematic illustration of Bragg scattering geometry. 2 中子衍射应力分析谱仪的总体布局 单色器 导管 第一准直器 第三准直器 第二准直器 样品 探测器 图2 中子衍射应力分析谱仪布局示意图 Fig. 2 Schematic illustration of residual stress neutron diffractometer 中子衍射应力分析谱仪布局如图 2 所示

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