射频溅射沉积掺稀土元素CdTe薄膜的光电性能的研究.pdfVIP

j{，．●●l●■，j I 1 ! 离，对应的面间距与／CPDF卡数据相比较，3IO℃所得样品的d值偏差较大，显示样品晶格 基片温度升至430。C，衍射峰形又宽化，d值偏差增大，表明薄膜的晶格崎变增加，粒 度变小，晶粒碎化。原因可能是由于基片温度较高，沉积在基片上的原子不易产生稳 定的吸酣，不易形成晶核，不利薄膜的结晶生长。(220)衍射峰相对强度的变化显示， 溅射沉积的CdTe薄膜结晶较好时，(11 1j晶面的择优取向较电沉积川和热蒸发f3l所得 的薄膜强。 表1不同基片温度溅射时所得样品的XRD翔据 基片温度(℃) 品面间距“…(呐 “1f)蚌半峰宽(degree) ，【?删／五川J(％) 250 36898 0 750 333 310 37152 0{5。 【5 334 3。747】 n600 J|8 375 37469 0600 6．9 400 37320 O600 0 430 3．T157 ()750 266 2基片不加热，掺稀土元素的样品 图2是基片温度为室温沉积的纯CdTe薄膜 及掺稀土eL，镨，钕，钐的CdTe薄膜衍射谱。从图中兮 明显观察到室温沉积的纯CdTe薄膜及掺杂镨， 墓 》 钆的样品的结构是非晶，而掺入稀土元素钕，钐 巴 ∞ 的样品，其(111)晶面的衍射峰十分尖锐，其它Z 衍射峰均不出现，显示(1l 1)晶面很强的择优， ∞ 卜 薄膜结晶情况较好。说明共溅射掺杂稀土元素 圣 (钕，钐)有明显的促进薄膜晶化的作用，可减 少薄膜内部裂缝与晶界，减少晶面生长的歧变和 残余内应力。我们以上实验结果与文献f5】的报 道类周。 3．2光学测试 测量各种样品在230～900nm的波长范围内图2 CdTe及掺稀t元素薄膜的XRD图 的透过率r和反射率矗。通过计算可获得CdTe薄 膜的吸收系数a。CdTe是直接跃迁半导体。由Tauc规则可知，在吸收边附近，对于多晶结 构样品有 (础订2刊(乓一by) 非晶结构有以下关系 (如计1，2=口(乓一^∞ 36l 稀土元素的掺杂对CdTe薄膜的光能隙影响不大。 1 s 5 ．j ／ 主e 孓8j／ 4 ／ 2 ． ／ ；．／ n。4 2．2 、