隧道穿透场效应晶体管的研究初探.pdfVIP

2011年11月 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 中国三亚 隧道穿透场效应晶体管研究初探 许军，崔宁，梁仁荣 (清华大学微电子学研究所，北京looos4) 器件进行了研究。结果表明优化的TFET器件具有较好的亚阈区特性和较高的正√|h之比，有望 在低功耗应用中成为纳米级MOSFET强有力的竞争者之一． 关键词：隧道穿透效应；数值模拟；亚阁区特性；低功耗 随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，传统MOSFET中的短沟道效应、强电场效应、量子化效应以及 器件工艺参数涨落等冈素对器件的关态漏电流％FF)、亚阈值斜率(SubthresholdSwing，缩写为SS或Sw)等 性能的影响也变得越来越突出，纳米级器件尺寸的进一步缩小受到来自器件结构、材料以及基本工作机理 FieldEffect 等多方面因素的制约。而新型的隧道穿透场效应晶体管(Tunnel 米级MOSFET最强有力的竞争者之一。 本文介绍了采用器件数值模拟工具对新型TFET器件结构、电极与栅介质材料及其基本工作机理等方 Gate，缩写为 电性能参数的影响，初步优化了．Ⅱ7ET器件的设计参数。 2常规TFET器件的工作原理 图l所示分别为典型的N型和P型TFET的结构示意图，从图中可见，与普通MOSFET不同的是， 对于N型TFET来说，其源区为P型重掺杂，沟道区为本征掺杂或弱N型掺杂，漏区仍为N型重掺杂， 而P型Tl屯T则正好相反。 nTF盯 p-rFL盯 Vph V弘■ 图1 TFET器件结构示意图 普通MOSFET的工作原理是利用外加栅电压形成的栅极电场引起器件沟道区由耗尽状态逐步变为反 型状态，从而导致器件由关断转变为导通，而11FET则是利用栅电压控制半导体中载流子的带-带隧穿过程 重掺杂，源区的费米带尾效应被沟道区的禁带切断，其导带中的电子浓度基本可以忽略。而由于源区与沟 道区之间存在耗尽区，沟道区费米能级处于禁带中间，其价带中的电子没有几率隧穿到沟道区，此时TFET 处于关断状态，且其关态电流远小于普通的MOS器件；当外加栅电压逐渐增大时，沟道区的能带不断下 降，当沟道区的导带弯曲到源区的价带以下时，两边的能带对齐，就会出现从源区隧穿到沟道区的净电流， 器件也在瞬间由关断状态进入到导通状态，所以从理论上说TFET器件具有很好的亚阈区特性，其亚阈值 ．316． 许￥等：隧道2遗场效＆晶体管研究韧探 斜率sw甚至有可能低下MOS器件的理想值60mV／dcc。 釜 畦 目2TFETg件*奉T作原理 TFET器什导通之后．其导通电流土要取决于隧穿强度，对于电场均匀的三角形势垒近似，可以得到 其隧穿几率为【2l： 枷J一亟] ‘I 3曲f| 式中，Ⅲ·为屯子的有效质最，最为半导体村料的禁带宽度，g为电子屯荷，h为简约普朗克常数-{为电 场强度。当外加偏胜‰时，借助带．带隧穿效应流过器什淘道M的电流密度可通过不同量子态隧穿几率的 积分求得： 一=案势m【f譬l 埘 从(2)式可见，半导体材料的禁带宽度越大，则隧穿电流越小；埘电场强度越大，则隧穿电流越太。在 TFET器件的优化设训中，如何尽可能地减小隧穿长度、增大器件隧穿K的电场强度，从『Ⅲ肯效地提高TFET 器件的驱动电流，是TFET器件的一个研究重点。 3新型TFET器件的结构优化 Nti 我们研究的基本TFET器件采用