电力电子应用技术_第七-八讲功率场效应管.pdfVIP

电力电子应用技术 第7讲 功率场效应管 功率半导体器件热设计 课堂讨论：热源处的温度与什么有关？ 热源的发热功率； 传导途径的热阻； 环境温度。由于受环境温度影响，为更 准确的描述，采用温升的概念。 热回路欧姆定理： 发热功率P 热源的温升 （W ） 传导途径的热阻Rth （℃/W） T P R th 如果传导途径由几段不同特性 温升 （℃） 的材料组成，“热阻串联”。 功率半导体器件热设计 一种晶闸管的参数如下表所示。假设其正向压降为1V，散热器 的温度最高为80℃，最高允许结温为125 ℃。如果用这样的晶 闸管设计一个单相全波整流电路（电阻性负载），最大输出电 流有效值能达到多少？ 功率半导体器件热设计 晶闸管通态压降与通态电流的关系 功率半导体器件热设计 热阻的大小和损耗持续时间的关系 晶闸管的派生器件 双向晶闸管 可关断晶闸管 图1-44 GTO的结构与符号 图中：A--阳极；K--阴极；G--控制级 图 双向晶闸管内部结构 光控晶闸管 A A 安图 特 双 性 向 G 晶 闸 K G K 管 的 伏 图 光控晶闸管符号及等效电路 GTO  普通晶闸管的缺点：半控器件，不具有自关断能力，需 要依靠电网、负载或辅助换相电路来实现关断，换相电 路复杂性限制了其应用。  GTO：Gate-turn-off Thyristor 门极可关断晶闸管  既有普通晶闸管的耐压高、电流容量大、耐浪涌能力强的优点， 又具有自关