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温度对晶体管特性的影响 对晶体管输出特性的影响 场效应管与晶体管的比较 放大的概念: 3、共射放大电路的电压放大作用 结论： 结论： 结论： 1. 实现放大的条件 2. 直流通路和交流通路 作业： 3.1.1 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 集电极最大允许电流 ICM 集-射反向击穿电压 U(BR)CEO 集电极最大允许耗散功率 PCM 过压区 过流区 安全工作区 过损区 PCM=ICUCE UCE/V U(BR)CEO IC/mA ICM O 使用时不允许超 过这些极限参数. 第1章 上页 下页 极限参数 返回 对输入特性的影响 上页 下页 返回 上页 下页 返回 1.6 绝缘栅场效应晶体管 1.6.1 基本结构和工作原理 第1章 上页 下页 返回 1.6.2 特性曲线和主要参数 1.6.3 简化的小信号模型 概述 第1章 上页 下页 返回 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，绝缘栅型场效应管的应用最为广泛，这种场效应管又称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOS）。 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 增强型 耗尽型 按其导电类型可将场效应晶体管分为N沟道和P沟道两种，按其导电沟道的形成过程可分为耗尽型和增强型两种。 因而就出现了四种不同形式的场效应晶体管，它们是： 1.6.1 基本结构和工作原理 1.结构 B G栅极 D漏极 SiO2 B D G S P型硅衬底 S源极 N沟道增强型结构示意图 图形符号 第1章 上页 下页 返回 N+ N+ 2.工作原理 D与S之间是两个 PN结反向串联，无论 D与S之间加什么极性 的电压，漏极电流均 接近于零。 (1) UGS =0 结构示意图 衬底引线B UDS ID = 0 G D S P型硅衬底 SiO2 栅源电压对导电沟 道的控制作用 第1章 上页 下页 N+ N+ 返回 S D (2) 0 UGS UGS(th) 由栅极指向衬底方 向的电场使空穴向下 移动,电子向上移动。 UDS SiO2 G D S B 结构示意图 P型硅衬底 N+ N+ ID = 0 UGS 在P型衬底表面形 成耗尽层。 第1章 上页 下页 返回 (3) UGS UGS(th) 栅极下P型半导体表 面形成N型导电沟道。 当D、S加上正向电压 后可产生漏极电流ID 。 N+ N+ SiO2 G D S 耗尽层 B P型硅衬底 UGS N型导电沟道 ID 第1章 上页 下页 返回 UDS 由上述讨论可知: UGS愈大，导电沟道愈厚,在UDS电压作用下,电流ID愈 大。即通过改变电压UGS的大小可以改变漏极电流ID的 大小。 随着栅极电压UGS的增加，导电沟道不断增加的场效 管称为增强型场效应管。 场效应管只有一种载流子参与导电,故称为单极型晶 体管。普通晶体管中空穴和电子两种载流子参与导电 称之为双极型晶体管。 上页 第1章 返回 下页 上页 第1章 返回 下页 0 UDS/v 10 20 1 2 3 4 ID / mA UGS = 0 V UGS = -1 V UGS = -2 V UGS = 1 V 可变电阻区 线性放大区 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 ID/mA 0 UGS/V -2 1 2 UDS = 10 V IDSS 输出特性 转移特性 1.6.2 特性曲线和主要参数 UGS(off) UGS ID=IDSS(1? )2 上页 第1章 返回 下页 增强型MOS管的转移特性 NMOS管 PMOS管 UGS 0 ID UGS（th） UGS 0 ID UGS（th） ID=IDO( ?1)2 UGS UGS(th) gm=?ID / ?UGS? UDS =常数 跨导 主要参数 上页 第1章 返回 下页 夹断电压UGS(off)：是耗尽型场效应管当ID为一微小电流时的栅源电压。 * 最大漏源击穿电压U(BR)DS:漏极和源极之间的击穿电压。 * 最大漏极电流IDM，最大耗散功率PDM 。 * 低频跨导gm：在UDS为某一固定值时，漏极电流的微小变化和相应的栅源输入电压变化量之比。 * 栅源直流输入电阻RGS：栅源电压和栅极电流的比值。 * 开启电压UGS(th)：是增强型场效应管当漏源之间出现导电沟道时的栅源电压。 * 饱和漏电流IDSS：耗尽型场效应管在UGS=0的情况下，当漏源电压大于夹断电压时的漏极电流。 * 说明：三极管与场效应管的小