第七章+后端工艺.pdf

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2015-07-28 发布于山西
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第七章 CMOS 后端工艺制程-铜互连赵超中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心 Zhao 内容 7.1 绪论 7.5 铜互连发展现状和趋势 7.2 摩尔定律对互连材料的要求 7.5.1 22纳米以下的新挑战 7.2.1 电导率和铜互连深宽比不断增加 7.2.2 电迁移阻挡层厚度极限 7.2.3 线间电容和low-k材料 PVD的局限性 7.3 铜互连带来的技术挑战 7.5.2 正在进行中的研发 PVD 工艺优化 7.3.1 铜扩散阻挡层新型阻挡层 7.3.2 大马士革工艺籽晶修复层 7.4 铜互连工艺自对准阻挡层 7.4.1 阻挡层和铜仔晶层 7.5.3 铜/钨混合接触和铜接触 7.4.2 电镀 7.5.4 结语 7.4.3 CMP Zhao 内容 7.1 绪论 7.5 铜互连发展现状和趋势 7.2 摩尔定律对互连材料的要求 7.5.1 22纳米以下的新挑战 7.2.1 电导率和铜互连深宽比不断增加 7.2.2 电迁移阻挡层厚度极限 7.2.3 线间电容和low-k材料 PVD的局限性 7.3 铜互连带来的技术挑战 7.5.2 正在进行中的研发 PVD 工艺优化 7.3.1 铜扩散阻挡层新型阻挡层 7.3.2 大马士革工艺籽晶修复层 7.4 铜互连工艺自对准阻挡层 7.4.1 阻挡层和铜仔晶层 7.5.3 铜/钨混合接触和铜接触 7.4.2 电镀 7.5.4 结语 7.4.3 CMP Zhao CMOS 工艺制程中的互连制程