C-V技术及在半导体工艺检测上的应用.pdfVIP

———_——_———————————一————●———————●—————————————一—————————————————————————————一 C-v技术及其在半导体工艺检测上的应用 何德湛 (上海春兰新微电子公司‘ 200233) 摘要：本文介绍c^v测量技术的特点及其在半导体工艺检测上的应用，这对提高工艺质 量及产品的可靠性起着重要的作用。 l 引言：从测量出的c-．v(电容一电压)、包括C—T(电容一时间)曲线情况，便可知 工艺制造质量。如有问题可及时采取措施，避免大的经济损失，又由于c-_v技术其 特点是简单、方便、快速、非破坏性，这确是为一种重要的工艺检测手段，以下就对 各工艺检测作一介绍。 2 德要原理及主要参数：C—v的c一般是指MOS电容，个别是指金属半导体接触的势垒 电容。豳l所示硅片为N型的MoS电容c—V曲线，曲线1为原始曲线，当对片子加 温加正电压处理又称正BT处理后，得到曲线2，然后再加温加负电压处理又称负BT 处理后，得到曲线3。曲线2、3在平带电容Cfb点之间对应的电压差AVfb称平带电 压漂移量，此值与氧化层可动正电荷数主要是钠离子沾污有关，反映工艺系统的清洁 度。如果电压从正向负快速扫描，那曲线1最后部分会形成曲线4的形状，为非平衡 深耗尽曲线，用于测量杂质浓度分布。争一v测量主要参数如下： (1)氧化层的固定正电荷密度数 Nf=Cox((Pms-Vfb)q-1(1) Cox为氧化层单位面积电容，等于Cmax／A．A为电极面积，(Dms为金属与半导体硅片之间 功函数差，Vfb为平带电压，Cfb数值即位鬟确定与硅片浓度及氧化层厚度或cox有关，q为 电子电荷。Nf数值在一定程度反映氧与硅结合生成氧化层的完整性及在工艺过程中氧化 屡损伤情况。 A Nm=Cox (2) (2)氧化层可动电荷密度数 Vfb{q“ aVfb{为平带电压漂移量的绝对值，№是一个很重要的参数，涉及工艺清洁度及影响器 件的参敷及稳定性和可靠性。典型的BT处理条件，对氧化层为1000A0的样品，温度2000C， 电压各正负10r，时闻各5分钟。 (3)杂质浓度N分布公式：无论对金属半导体接触或是如S结构均可用下式表示 Esi N(，)=c3(qdC／dV)一1 (3) 对应的深度w，对金属半导体接触为 W=EsiC1 (4) 对WOS结构 W=Esi(C-ocox_1) (5) EM为硅夼电常数，C为单位厦积的电容数值，对近硅表面小于2倍德拜长度范围内的分 布。要用MOS结构测量，且公式多了一个与德拜氏度^有关的修正函数g(^)，即 ’原中国科学院上海冶舌=所徽电子学分部 508 N(帕--N×g(x)(6) 称Zigler修正，其中g(^)≤1 (4)非平衡少数载流子产生寿命rg．当110S电容两端加一从积累到深耗尽的阶跃脉冲 K=2Ni陆“N-1 g， Cf一1×I／1 (7) g 式中Ni为本征载流子浓度，N为硅片掺杂浓度，cf为最后平衡时的电容。Tg数值极为灵 敏地反映硅片中的缺陷、损伤、重金属沾污等情况。 以上各参数测试，样品均是在金属屏蔽盒且遮光情况下进行。 3应用 (I)原材料硅片检测：导电类型判别及寿命tg的测量，用水银探针可判别抛光片或 粗蘑单晶片是N型还是P型，由于片子或多或少有些天然氧化层，测出来的C--V 曲线仍略有WDS的曲线形状，如曲线像图1所示电容从正电压方向往负电压方向 减小则为N型，反之从负电压方向往正电压方向减小为P型。1g的检测是将抛 光片干氧化约1000Ao下测量，质量好的片子，如电阻率是2一100·例范围，tg S，如果1lI 一般都能在1