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IPA在化学清洗中的应用 袁湘君 中国科学院微电予中心 I摘要I 本文介绍一种加入少量IPA的新的清洗液，这种清洗液抑制颗粒污染 硅片表面，且不改变表面的化学状态，是制备高性能的超薄栅氧化层所必需的 清洗方法。 一．前言 制备高性能的超薄栅氧化层，要求把硅片表面的离子、颗粒沾污减到最少。 用HF最后清洗硅片的结果，金属沾污低，而颗粒沾污非常容易。如何保持l-IF 最后清洗的低金属沾污的优势，又要降低颗粒沾污，就成了深亚微米电路清洗 工艺必须解决的问题。 二．文献报道 佳清洗效果。 图5示出最后清洗步骤的功能对薄栅氧化层成品率的影响。如图5所示， 品率。 图3示出硅在HF／IPA浸蚀后用与不用去离子水冲洗的接触角。去离子水滴 的接触角是用于研究HF浸蚀后硅表面的化学状态。接触角70。时，硅表面完 全钝化。钝化后．只有少量粒子在冲洗、烘干后出现。如图3所示，用 值。也就是说，在此条件下清洗的硅片，其表面的颗粒沾污可以达到最小。 ConIa(￡1nEIc{。) 陌—忑i五丽；习 琴 L一：“竺：!：!：!：l 283 ：．吱螅睑计新配窍国l￡艺条钟的Ⅵ行恺 j 《穆≯只-：‘i4’麓业q÷{：-二)t‘≯?寿?a嘲f聍谩暑、rE其、34、l“消滞． ，曩袖*虢。}j{：j§『!|L?HI；溶液：、j)撕’，i．泰仁：ii。心、t)K4500}：油测试汲训L{17 锈亨’i2： ；、f‘，章：1i1之尊皓净室． 吱礁l：÷t，；0—7i奎td隔的翦处理条1车下经34、14液清沈后，最后遴入小K 酝与的HF塔遗按墨，鼍1)I求冲j车、鼍-7-．甓‘洲’式睦寸曩露0．16hm2趵颗 粒．b薮，Hij劳兵{‘j；j篮。买验结果缸，：二1。 甓班；2：疆：，；处理慝蛮验l，不阿的是瞪一_薯，马Liq量其表面自然氧化层 厚寝。结采船表二 扶表I可妃：r }j沾污ft晤明冠：t2)谚配方溶液7E浸蚀硅片60秒Fj，辨犊窜蜘腐蚀时间，币 再改善颗粒沾污情况。 H：常烈HF(2％)20s浸 扶衷2，J见，瓤配方溶液HY‘(O．5％)／Ⅱ)A(200ppm)60s 浊的违夏商形成々：j口然氧7t爱毪溥：而在HF(O5””)IP：、f二《jtjppmJ溶滚：；l二营加 处蠼构硅丧面已达到了究全钝化。所以是理想的锘-备高‘：生能楚淳氧化层的清沈 0iZ一 聂1 簪}{H2％)溶液与HⅣO 5％)／|PA(200ppml附1、。j时间茂硅。 4”硅片表面颗粒沾，jIt：较 H11ff)5。o¨TH，二()『Ippm} SOs 300s 颓j叫个，’F 蛩tii个，r! 108 121 ：? 35 ：jH jq l：4 130 30 ．j‘5 1j 14‘ 9j }() 11‘ 242