MBE外延生长中RHEED衍射图案采集系统的研制.pdfVIP

lille外廷生长中嬲锄衍射圈案采集系统的研制 陈益栋刘兴权杜捷陈亚骏陆卫 (上海技术物理所红外物理国家实验室，上海，200083) 摘要：本文介绍了我们自行设计和建立的与MBE相配套的高速CCD图像采集系统． 引肓 分子束外延mmE)是目前薄膜材料外延生长最优异的技术之一。在薄膜材料生长中可以达到驱 原子层量级上的控制。反射高能电子衍袅j(RIqEED)是MBE生长最重要的原位观测手段之一，可以实 现对MBE外延生长的实时监测。外延生长中RHEED的图案及其变化可以反映出生长机制、生长速 率、表面相变及失配生长中晶格常数的变化等丰富的信息。因此，为了实现薄膜生长亚原子层厚度 的精确控制，同时深入研究材料生长中表面瞬时相变、化学配比的变化及晶格常数的变化等信息。 就必须对生长一个原子层周期内的RHEED衍射图案进行全面记录。为此我们设计并建立了一套与 ／v／BE系统配套的采集RI-／EED衍射图案的高速CCD图像采集系统。 一、系统性能 l、常规分子柬外延生长速度下对～个原子层生长周期内的信息变化要有充分的记录．为此我们 新研制系统的时间分辨率上达到卯帧，秽、空间分辨率方面为每帧有256x256元、强度分辨率上有 256级灰度。 2、对视频信号记录实现了大量数据能够实时存贮、实时显示，为实现亚原子层厚度控制中束源 炉挡板动作控制提供技术保证。 3、对存贮的数据能进行多途径的后处理。 二、硬件设计 研制了50Hz256X256的图像采集卡，以串行输入形式对视频模捌信号进行A／D转换并在一定 端口与Pc机通讯。成像系统采用大口径型镜头，焦距为8．5—51ram，放大倍数为1：1．2。摄像头为256 Si ×256 CCD系统，共有256个灰度级。采用大光遁量和视场角对RHEED荧光屏进行成像，实现 对Rt-IEED图案的全级采集。 三、软件设计 1、数据的采集与读取控制 在DOS环境下，用C语言中嵌入汇编语言形式，通过计算机与采集卡的有效组合，实现了对 硬件A／D数据真宴速率采集，不丢帧或重帧。任意设置采集频率(小于50Hz)，满足实际采集速率的 要求。对于静态图像，为提高信噪比，可以进行任意多次采集取平均。 2、数据的存贮 采用两种数据存贮方式，对全幅256×256图像数据存贮，采用先写入动态RAM，然后再写入 硬盘的工作方式；对100／100以下的图像区域，采用实时写硬盘的工作方式。软件自动判别硬盘容 量、硬盘读写速度及所取区域的面积(nxm)，自动更换数据存贮方式，实时写硬盘的优先级高于先 写动态RAM后写硬盘的模式。 3、数据的实时显示 在数据采集过程中，能够实时显示所选取的某个区域内各像素点强度平均值或某个像素点强度 值以及该区域强度极大值随时间的变化；同时不影响整幅图像数据的采集与存贮。 4、数据的后处理 a)、任意像素点的强度随时间的变化曲线显示，数据文件的标准ASCII码形式的输出： b1、某一小区域内所有像素点平均值、极大值随时间的变化曲线的显示和文件输出； 曲、图像内一线段上各点在某一时刻强度分布的显示及文件输出，其上各点强度随时闻的变 化同时显示及数据文件输出； d)、对有明显周期性变化的数据结构进行付里叶变换分析； “对全屏幕上各像素点空阉位置定标，同时显示该点在该对刻的灰度级值； n、能够同时分析多个点、线、面．并进行同屏幕比较，各点在时间轴和强度轴上可以任意放 缩，系统支持鼠标； 曲、图像显示上采用伪彩色，层次清楚． s、工作界面 采用示波器的工作模式，各参数如时间轴标度、强度轴标度可以连续调节。热键模仿录像机的 工作模式，录、放等显示标志也与录像机相似t人机对话操作。 H雪譬鎏■_’ 图lccD图像采集系统吧!鼍!烹!烹裹寰曼烹曼曼!烹■ 四、高速O∞圈像采生系统 一◆ 整个CCD图像采集系统如图1所示。通过上述 硬件和软件的设计，采集频率达到50Hz，空间分辨 率达到256x256，强度分辨率为256个灰度级，对 正常MBE生长速度的一个生长周期内RHEED图案 及其变化能够全面、实时显示和记录。图2为RHEED 图像的实时显示图：图3为GaAs生长中RHEED各 级条纹及其强度变化的实时记录；图4为AIGaAs生 长中RH