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MEMS加工中的浓硼扩散技术研究 田大字、张大成、郝～龙、李婷、张录、张维 北京大学微电子学研究所 100871 摘要：本文讨论了不同的扩敞方式对扩散历硅表面状态、掺杂浓度等的影响。设计了三种 扩散方式：予淀积／再分布方式；硅片予处埋／予淀积／直接剥离表面层物质方式；硅片予 处理／子淀积／转化及剥离表面层物质方式。验证扩散后产生的表面层物质是产生合金点的 重要原因之一，剥离掉这层物质后继续扩散就可以实现浓硼深结扩散。此外，在扩散总时 间‘定，并去掉各次产生的表面层物质后，则多次扩散比一次扩散能得到更深的结深。 一、引言 硅微机械加T技术是八十年代开始伴随硅微型传感器的研究而发展起来的三维加工技 术，分为体硅和表面石丰J二艺两大分支。体砗工艺中利用j，如EPW、KOH等腐蚀液对不同 掺杂浓度的硅的腐蚀有明显选择性的特点，悔硅片加工成所需的微机械结构。我们用PWB2 微晶玻璃片状硼源，在1100。C～1150C。下进行浓硼深扩散，制备了硼掺杂浓度大约为5E19、 J停止层。 结深入于10p．m的MEMS器件所需的腐蚀r 二、实验 1．予淀积／再分布方式 将硅片在1100。c的氯气中进行硼下淀积，然后在高温下推进结。重复这一过程，以 达到予定结深。 在硼予淀积后用纯HF漂去硅片表面层物质。这时可观察到硅片表面由出炉时彩色变 为黑褐色，也就是说去除了最表面的硼硅玻璃后，硅表面还留有～层非氧化硅类的物质不 能被HF腐蚀。 在显微镜F观察样品断面时可清晰地看到．距硅片表面的一段范围内的颜色很深， 与碎衬底间有明显的界线，经测量样片的表面电阻R；=1f2／U。如果认为样片在整个区域 内均为单晶硅．那么从样片的扩展电阻曲线(见图1)上看，在距硅片表面o．8pm的范围 内是一个低浓度Ⅸ，在更深的区域才是上E常的高浓度区。这个低掺朵浓度区正好对应于硅 片表面的黑褐色物质区。进一步的实验表明，这层物质可以氧化成能被HF腐蚀的二氧化 _醚；。 综上所述，存扩散过程中，由于温度超过了硼源片的最高使用温度1000C，这样硼源 片中挥发出的一些杂质会淀积到硅片表面。这是产生表面层物质的一个原因。 硼再分布后，硅片{lj现严重的合金点无论进行干氧或湿氧氧化，合金点均不能消失； 用HF酸尽量漂去表面层物质再进行干氧或湿氧氧化，合金点也仍不能消失 2，硅片予处理／予淀积／直接剥离表面层物质方式 由于再分布时硅表面无siq或类似SiO：成份，因此出现严重台金点。所以可以认为 SiO，会改善扩散过程q，出现的合金点问题。为避免予扩时的难溶物质和台金点的出现， 扩散前先用LPCVD予先淀积一层薄氧化层，然后进行硼的带源扩散。并且取消再分布过 230 程，以维持较高的掺杂浓度。扩散后硅片表面无异常。在显微镜下可看到硅片表面有黑色 的圆点状物质。这层表面层物质可以用纯I-IF酸溶液去掉，并且呈现不规则的片状剥离／- 来，露出硅片衬底的颜色。这说明HF酸钻蚀了扩散前淀积的SiO：，从而剥离了扩散中形 成的表面层物质。在显微镜下观察，经HF酸处理后的硅片表面比较干净，无合金点出现。 从样片的扩展电阻曲线(见图2)上看不到硅片表面的低掺杂浓度区，在整个区域内的掺 杂浓度相等。 3．硅片予处理／子淀积／转化及剥离表面层物质方式 在直接剥离表面层物质的扩散中，有时会出现剥离效果不太好的情况，硅片表面仍留 F一层可以用乙醇棉擦拭掉的疏松表面层物质。使用新的硼源片扩散时这种情况更为明 显。经实验发现扩散结束后，在低温下先对硅片表面层物质进行氧化处理，使其转化为氧 化物，再用HF漂就可除掉表面层物质。 三、结果与讨论 1．扩散时间与结深的数据 样片 撑l 撑2 拌3 岸4 牟5 牟6 拌7 扩散温度 f。C1 1100 1150 1150 1150 1150 1150 1150 扩散时间 (小时) 8 8 14+75．5+8+810 15 8+8+8十8 I扩散深度 (“m) 4 8．1 11 13 7．8 9 1 5 2．制作MEMS器