碲镉汞液相外延的成就与面临的挑战.pdfVIP

碲镉汞液相外延的成就和面临的挑战 中科院上海技术物理研究所 杨建荣 摘要：本文介绍了碲镉汞液相外延技术的发展、现状和取得的成就，同时也 介绍了近年来分子束外延技术的发展对液相外延技术构成的强有力的竞争， 针对碲镉汞材料的特点，分析了这掰种技术各自存在的优势，并对碲镉汞外 延技术的进一步发展进行了探讨。 I．引言 碲镉汞晶体自1958年被首次合成以来，一直是制备高性能红外探测器最 佳的敏感元材料，尽管在这几十年中，硅肖特基和砷化镓量子阱在制备红外 探测器上取得了巨大的突破与成功，但至今碲镐汞红外探测器在对红外辐射 探测的灵敏度卜仍明显优于其它各类红外探测器，因而，在航天遥感和军事 应用上占据着主导地位。40年来，碲镉汞红外探测器已从单元的光导型器件 发展到长线列和大规模列阵器件，在这一技术的发展过程中，用液相外延制 备大面积高性能碲镉汞外延材料的技术起到了决定性的作用，目前实用化的 碲镉汞红外探测器均是采用液相外延材料制备的，液相外延技术以其长期的 技术积累和材料质量上的优势在和分子束外延(^lBE)技术和金属有机化合物沉 常迅速，碲锅汞船E外延材料的质量已达到和LPE相当的水平，并且，随着半 导体技术的发展，材料制备和器件加]：技术将逐步融合在一起，技术的发展 最终将把不同功能的不同材料将制备在同一芯片上，目前的集成化的单一材 料单一功能光电子器件将向一体化的多功能的灵巧型器件方向发展，与MBE和 MOCVD技术相比，液相外延在适应这一技术发展的能力上明显存在着很大的局 限性。如何看待看待和评价这些外延技术已成为人们关注的话题。本文首先 将简要地总结碲镉汞LPE所取得的成就，系统地分析LPE$1IMBE技术备自的特 点，并在此基础上，对碲镉汞LPE的地位、作用、面临的挑战以及与潲E技术 的关系等问题提出一些看法。 2．碲镉汞液相外延的发展 和其它半导体材料一样，碲镉汞材料的外延也是从液相外延开始的，液 相外延继承了体材料固液相变的生长原理，外延的装置也较为简单。但碲镉 汞液相外延遇到的困难是汞压非常高。最早关于碲镉汞液相外延的报道出现 在1980年前后．外延采用了富碲溶剂法克服r高汞压的凼难。随后，越来越 多的研究机构进入了碲镉汞液柏外延的研究，研究的内容也逐步展开，开始 的工作重点在于确定最佳的生长条件，即富碲碲镉汞的固液相图，生长速率、 组分控制、11lCdTe衬底的A面或B面的选取和外延层表面的形貌等也是 那时的主要研究内容。进一步的研究开始涉及到材料的电学性能的控制，N 型足利用材料中的剩余施主，P型利用了汞空位缺陷。N型材料用十制备光 导型器件，P型外延材料通过B离子注入形成N—Oil—P结，并用于研制线列和 列阵红外焦平面器件器件。和光导型器件相比，光伏器件具有易集成、响应 快、功耗小等优点，这些是发展焦平面器件所必不可少的。焦平面器件的另 一特点是将探测器和信号渎出电路集成在一起，也只有这样，焦平面器件(也 称第二代红外焦平面)才得以实际应用。为了使红外器件的响应在Sj的读出 电路上有较高的读出效率，器件的RoA值(Ro为器件的零偏压电阻，A是光 敏元面积)，研究发现，除了表面漏电会影响RoA值外，制约器件RoA值的 根本原因是材料的少子寿命和位锗密度，这时，碲镐汞LPE的研究自然而然 就集中在如何提高少子寿命和降低位错密度，其中最重要的发现是采用砷掺 杂技术形成的受主替代传统的汞空位受主可使P型材料的少予寿命提高一个 数量级…，采用和碲镉汞完全匝配的碲锌镉衬底可使外延材料的位错密度下 降一个数量级口}，这两项技术的突破大约在1990年前后，随后碲镉汞红外焦 平面器件迅速进入实用化和商品化，器件规模逐年提高，目前线列已做到 1500fj)，面阵已做到320×240“，碲镉汞红外焦平面现已在导电制导系统、运 用光电子对抗技术的武器系统和反导弹防御系统中得到了越来越多的应用。 在我国，红外焦平面也已成为航天和国防现代化建设中的一顷关键技术。 由于碲锅东红外焦平面器件技术在国防领域中重要性，世界上有影响的 国家均在这方面投入厂大量的人力和物力。虽然，近年来有关碲镉汞LPE的 报道并不多，但各种渠道的信息均显示，这项工作～直得到有关国家政府的 强有力支持。在美国，碲镉汞LPE的研究落户在洛克希德马丁J(Lockheed． 法国和英国均将碲镉汞LPE纳入在军方的研究机构，并按研究和生产分立两 个机构。其中值得一提的是法国的Sofradir