基于Rayleigh商式求电容的一种新方法.pdfVIP

史小卫 梁昌洪 卜安涛 (西安电于科技大学微波电信工程系．710071) 商式已有结论可方便地求出电容的近似值。例子表明这～方法具有较高精度。 一、原理 Raylei曲两式即如下形式的比式 荆=箸 (1) 商式的极值问题可转化为广义特征值问题 Ax=五凰 (2) 特别地巴当矩阵_可表示为列向量卢与其厄米共轭向量的乘积时，即 A=印” (3) 则Rayleigh商最大值及列向量x的相应取值为 m如xR(x)=屯螺=／／阿B叫∥，x眨B一1∥ (4) ．．．N--方N，对于我们要求的导体电容，存在一些变分计算公式，例如：设导体表面 电荷密度为盯(尹)，则 C= ＼表面∞秘]2／ 照曼筹斧 如果以试探函数代入电荷密度，则上式构成一个汁算电容的下界变分公式。经过离敞化． 电容近似值。 二、应用举例 以导体圆盘电容的计葬为例，处于介电常数为￡媒质之中目半径为订N．-N导体团 7 法求圆盘电容的近似值C。经过归一化处理，(5)式化为 旦三～坠型 ¨』f题耳等篡‰j 一万 (f：叫r)《”却)2 2厅’c。s(伊一妒 2￡一p)毋』：一o-(，‘)毋’j01,24却f。p2+r,2 下面采用两种不同方法将上式化为Rayldgh商式，并求出电容近似值。 方法一将电荷密度用全域基函数展开口(，^)=∑口，，“．代入(6)式经运算可得 c—G 矿～弛 ＆k q—q 豁 盯玎 舰A=(i赢L啪…。B=文黜LH删，即 B：：—D+—Dr 爿=}I／羔11【ll／z．．川㈣蜕 1 @k 1(o)／3 f(1)／5 · D：l蟹)75磐)77 ’ 俐f(n)l，(∽2n+3)1 lf(O)l(2n+3)f(1)／(2n+5)·，(Ⅳ)／(4九+3)j 而 根据(4)式求(7)式的最大值即可得到导体网盘电容的近似值，下表给出部分结果。 卜 0 l 2 4 5 6 lO !％0925280 9758809883009931309954909968l0 99763¨9990l 出上表可见，CG永远成立，其原因在于(5)式是～个下界公式。 一8一 时域有限差分法中可同时吸收 传播模式和雕落模式的吸收边界条件 喻志远，林为干 电子科技大学应用物理研究所 四川成都610054 摘要：本文提出了一种能同时收吸传播模式和雕落模式的基于模式正交技术的吸收边 界条件。在导