适于背面金属化的超薄硅片抛光工艺的研究.pdfVIP

适于背面金属化的超薄硅片抛光工艺研究 杨洪星赵权刘春香刘传军 韩梅刘玉岭耿莉赵峰 (天津电子材料研究所，300220) 摘要：硅是重要的半导体材料，在光电器件的制造中一直占有较大的比重。由 于对热阻、串联电阻有特殊要求，其芯片的厚度需要限定在某一厚度范围内“’。 本文通过实验对比研究，找出适台于背面金属化工序之前的超薄硅片化学机械 抛光工艺。 关键词：化：学机械抛光光电器件减薄背面金属化 1．引言 硅是第一代半导体材料，截至目前在半导体材料领域仍占有举足轻重的地位。随着对硅 材荆戍用的不断研究，以硅抛光片为利底材料的光电器件成为一个很有前景的发展方向。 在光电器件的制造过程中，在背面金属化工序之前，一般要对晶片进行减薄处理。而减 薄工艺一般采用减薄机进行减薄，直至所需厚度。用这种方法处理的晶片表面有较深的刀痕， 且表面粗糙，晶片的平整度较差，严重影响下一道工序的成品率。 本文所采用的方法为：先将待减薄晶片用减薄机减到～定厚度，然后用抛光机将晶片抛 光到所需厚度。抛光丁艺采崩化学机械抛光的方法将减薄后的晶片抛光至所需的厚度，同时 女赊减薄所引入的机械损伤。与常规减薄]：艺相比，具有表面光洁度、晶片平整度较好的优 势。 2．实验 根据减薄机减薄后品片上残存的损伤层厚度，将需处理的品片厚度设定在F式确定的范 围内： d=d1十d2+6 d 待化学机械抛光的晶片厚度 ． d1芯片要求厚度 d2减薄后损伤层的厚度 6 厚度修正因子，一般取儿个um 本研究采用无蜡抛光的化学机械抛光T艺，抛光衬垫为国产。化学机械抛光是目前、F导 体行业普遍采用的抛光T艺，其基本原理为：化学剥离与机械研磨两种机制共同作用，当二 um， 者作用达到平衡时，即能抛制出合格的抛光片。由于待抛光的晶片厚度仅在250—270 接近抛光衬垫玻璃钢的极限厚度，因而本研究以抛光压力及保护膜的影响为主要研究对象。 在抛光液流量、抛光液的PH值、抛光盘的转速、抛光温度等可变因素固定的条件下- ． 在去除相同的厚度的前提下，分四个方案对此进行研究，且每个方案进行两次。 方案一：正面无保护膜，单位面积抛光压力4PSI 方案二：正面无保护膜，单位面积抛光压力5PSI 方案三：正面有保护膜，单位面积抛光瓜力4PSI 方案四：正面有保护膜，单位面积抛光压力5PSI 一318 在化学机械抛光后，采用相同的处理工艺，对抛光片进行清洗、甩干，最后将合格片封 装。 3．结果与讨论 3．i实验结果 方案一，对于一张新粘的抛光衬垫，一般抛光50分钟左右(累计)，即出现飞片现象 且抛光衬垫无明显破损。两次抛光的结果一致。 方案二，对于一张新粘的抛光衬垫。一般抛光40分钟左右(累计)，即出现飞片现象 且抛光衬垫无明显破损。两次抛光的结果一致。 方案三，抛光过程中，一般不出现飞片情况．抛光片表面为镜面，且无刀痕、划道等缺 陷。两次抛光的结果一致。 方案四，抛光过程中，一般不出现飞片情况，抛光片表面为镜面，且无刀痕、划道等缺 陷，且抛光速率比方案三快。两次抛光的结果一致。 3．2讨论 出现方案一、方案二中所提到的飞片现象的原因可归纳如卜：在背面金属化工序之前， 减薄后的晶片厚度仅为标准衬底片厚度的一半，此时品片的倒角状态已由原来的圆弧形变成 刀刃形，如图l所示。在抛光过程中，晶片的边缘不断与抛光衬垫的玻璃钢相碰撞，经一段 时间的冲击，玻璃钢的边缘也发生变化，从而晶片易于从抛光衬垫的凹槽中飞出，导致碎片。 这两个方案的主要差别在丁^抛光压力的差别，从而抛光速率也不同，其结果是抛光均有飞片 现象，只是累计时间不同而己。这两个方案的第二次抛光结果与第一次相同，进一步说明飞 片决非偶然因素所致，边缘倒角状态才是