应用于深亚微米CMOS器件的单晶Co硅化物自对准工艺研究.pdfVIP

应用于深亚微米CMOS器件的单晶Co硅化物自 对准1：艺的研究 季红浩、柴淑敏、李俊峰、候瑞兵、趔玉印、一j：雄E、绘秋霞 摘要： 为了实现CoSi：在深亚微米CMOS器佴中的应用，我们对钴畦化物白对准工艺作了浑入的研究。本文首 先详细阐述了采用Coffi／Si复台膜结构的两步快速热处理在(100)硅表面外延生长单晶CoSi，薄膜的方法， 工艺参数以及Co／Ti／Si复台膜结构的热反应特性。进而将单品CoSb用于二极管的接触阻挡层，剥用单晶 CoSi：“100)si之闻较为平坦的界面泉部分解决由表面金属的硅化反应引入的反向漏电流增大的问题。针对co 硅化的浅结：极管容易出现的漏电流增大的现象，我们分析丁，漏电增加的机理，并据此采用了几种方法来达到 减小其漏电流的目的，实验表明．通过单品CoSi，的应用．适用于0iunl的浅结(xj=110nrn)经硅化后可以 得到令人满意的反向漏电流密度。 简介： 当MOS器件的特征尺寸减小到025 um以下时，普遍应用于硅化物自对准T艺的■Sl，遇到丁电阻率随 线宽减小而上升的问题11]。据CT 为015“m的多晶硅播线条上得到了低陋C54相的矗sI，薄膜，但以增加工艺复杂性为代价。由于CoSi，薄腕 的电阻率对多晶硅栅长投有明显的依赖性I…．同时CoSi：具有适用于硅化物自对准工艺的高温热稳定性，低电 阻率，可选择腐蚀性等特点。因而作为TiSi2的替代材料，CoSi，得到了广泛的研究∽“”。但钴硅化物自对 准工艺存在浅结泄漏电流较大的问题，因而限制了它在超大规模集成电路技术中的应用。近来．关于如何减小 表面经过钴硅化的二报管的反向泄露电流的删题有很多报道f8””J。尽管采用硅化物作为杂质扩散源的方法得 规模集成电路中的应用受到了限制。为了解决CoSi：遇到的问题，我们采用r在硅表面外延生长CoSi2单晶薄 膜的方法以得到平整的CoSiJsi界面。对热反应方法制各的CoSi2薄膜，我们做了力阻测试，同时利用XRD，AES． TEM分析植测了薄膜晶体取向，成分和断面结构。对表面生长了单晶CoSi，的栈结j极管的反向电流一电压 特性做，简饔的分析．同时讨论丁几种工艺方法对进一步减小泄露电流的作用。 实验： (I)． 在(100)硅衬底E外延生长CoSi，尊品薄膜 因CoSi，的CaF，品格结构与Si金刚石结构较匹配，在室温下品格常数只相差107％，所以具有异质外延 的可能性。但在普通溅射腔体中只能得到10E6Totl量绂的真空度．因而很难完全抑制硅表面自然氧化层的生 长。由于(70／SJ界面处不均匀自然氧化层的存在，使反应不能均匀地进行，从而妨碍了CoSi：在硅表面的异质 外延。宵文献报道o。．利用1i对表面自然氧化物的蕈取作用以及co是Co、s1反应的主动扩散源且co／Si的 反应温度低于ri／si的反应温度的特点，通过对表面淀积丁ColTi金属膜的硅衬底的快速热退火得到了外延 CoSi，薄膜。我们对在(100)硅衬底上溅射的小同厚度的Cc，／Yi双层金属膜做了不同条件下的快速热退火。为 了了解一次快速热退火对CoSi，薄膜方阻的影响，四个表面溅射rCo／Ti(12flm／5岫)_双层金属膜的硅片在四种 不同的温度下完成丁快速热退火。经过两步湿法腐蚀后(HCLHzO。+H：soIH20：)．每片硅片被分成两片，并分别 5rm／Srtt*) 完成了800C，10s和900C．10s的快速热处理。为了进一步优化工艺条什．两个表面溅射了Co／Ti(1 的硅片．分别经650C和700℃退火和两步湿法腐蚀后，被分成五片在币同条件下完成了第二步高温退火．结 果示于圉l。我们对在优化条件下得到的co踮薄膜进行了r方阻捌试，gtES，职o．和断面r肼的分析。 -774 (2) 表面硅化厩的浅结～极管反向电流一电雎特性的分析 上验证，相应的I岂条什 由j二条件所限．找们仍采_[{j忙统的局部氧化l岂(LOCOS)壳成场区氧化层的制 备N+p犁洼纤冉勺制笛采崩，小间能量(30Key．35Ke．40KeK51}Km)的a^；}^ⅢJ『)℃，4s悔速热处理。相 应的_二掘管的缩源分别勾1971／m，119nm，115¨m．}30nm。平面。檄管的接触面积为95mm2。在金属膜 响。实验证