重掺杂硅单晶中氧沉淀研究.pdfVIP

重掺杂硅单晶中氧沉淀的研究 刘彩池任丙彦郝秋艳王庆禄徐岳生 (}i,J．ILT．业大学，天津300130) 摘要：本文刹川化’竽腐蚀光学辐微镜观察、X射线“品衍射和透射电子显微镜(TEM)对 重掺锑、重掺硼砖单品在热处理过程中的氧沉淀行为进行r研究．讨论了掺尔剂对氧沉淀 成核的影响。 1引言 近求，不断发展的咒进CMOS，芗蚌拓了刘高度完美的N小+及P／P+外延片的需求。 结合是解决存储器件中n辐射引起软火效(Soft一一zrror)以及穿通敛戍的最佳途径。 IG技术是改进材料性能，提高呕掺杂外延片质彗的强有力手段之一，在控制ULSI电 路的成品率稿【_胜能疗而起关键作嘲，它是利明H拉硅单品中过饱和间隙氧在硅片体内生成 氧沉淀的同时，在硅片近表面处形成无缺陷剥光区。冈此，氧沉淀行为在IG技术的应用 中；’r据极其霞耍的地位。 f显微镜(TEM)对重掺锑、 本文利州化学腐蚀显微观察、x射线瑕晶#，射和透射}H 毫掺硼讣单品在热处理过栏中的军．沉淀玎为进{』J。研究，讨论了掺杂剂对氧沉淀成核的影 响。 2实验过程 urll的哐掺锑砖片，并用重 本实验所用样品为qD75mm，。5^向】11，厚度约为500 掺硼硅片休对比样品。样^^具体参数鲰表l所示， 热处理在以管扩散炉中进行，探护气氛为高纯氯气，为消除原生缺陷对实验结果的影 响，所有样I铺先进行12f)()℃12小l对111。退火处理， 表1．本实验所j{j样品参数 掺杂剂 电阻；摹f0．cml 掺杂浓度(cm。31 氧含量(cm。3、 8 7 B 3．7×]0。3 19X101 7 67X101 sb 8 3 2×】0。? 6 8x101 259X10” 注：其rf，氧含毓是f“符合法弹Nfj{『冲5-法测最的。 热处理在以管扩散护中i苴{i，保护气氛为氯气为消除原生氧沉淀对实验结 1 粜的影响，所fj|杆乩先进行1200。C2小叫的退火处理．选取的热处理温度为 106 750℃、950C和1100℃，热处理时间分别为12小时、32小时和60小时 3结果与讨论 (1)氧沉淀形成速率 通过x射线衍射分析，得到了重掺硼、锑硅单品在未退火、750。C、950。C、 1loocN火四个温度点同摆曲线、仁峰宽0 测量结果列丁二表2． m参数值。 表2．回摆曲线半峰宽0。，2测量值 退火温度 750℃ 950℃ 1100℃ 原生 退火时间h i2 36 60 12 36 60 12 36 60 0 B 108011．231l3411．1211．141l2011．0811．091l，081034 102I107910．90 10．30 111998 4 Sb 10．4010．6l 10．5l 9 氧沉淀的存在对x射线衍射的布喇格角有很大的影响，随着晶体内氧沉淀密 度的增加和体积的增人，半峰宽0。的值将宽化， 因而我们重点对参数0。的值 进行分析。半峰宽0。的改变依赖于硅中缺1l}j数目和缺陷附近硅原子的畸变状态， 它只具有各种因素的统计意义。通过对半峰宽o。的分析，结台化