MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管.pdfVIP

第 期 电 子 学 报 8 VoI .29 No . 8 年 月 2001 8 ACTA ELECTRONICA SINICA August 2001 MILC 超薄沟道多晶硅薄膜晶体管 金仲和，王跃林 （浙江大学信息与电子工程学系，浙江杭州市玉泉 310027 ） 摘 要： 金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点，本文根据这 一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能 采用超薄结构后，成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到