GaAs++MMIC中氮化钽薄膜电阻的制备技术.pdfVIP

GaAs IVmIC中氮化钽薄膜电阻的制备技术 周剑明 钱峰 南京电子器件研究所210016 摘要：本文介绍了在GaAs瑚Ic中Ta瑚薄膜电阻糊备技术．给出了制作薄膜电阻的基本工艺条件及方块电 阻值的控制方法，对薄膜厚度的均匀性，薄膜厚度、应力与氮气流量的关系，以及方块阻值与氮气流量的关 系进行了实验与分析．在直径为3英寸的GaAs园形衬底上，电阻均匀性可控制在士1％以内，通过控制氮气 流量可以很方便的获得20～50Q／sq．的Ta,N薄膜电阻．文中并对TaN薄膜电阻制作后的热退火、热稳定性 及相关的工艺制作条件进行了讨论、分析．目前，此方面工作仍在进一步开展进行中． 一、引言 在单片微波集成电路的偏置电路和匹配电路中，都要求电路元件有很高的精度和稳定性。 这就要求在MMIC的制造过程中，作为主要元件的薄膜电阻，能得到精确的控制、并有着很 高的可靠性。为了保证3英寸GaAs园片上制作MMIC具有较高的成品率，也要求薄膜电阻 在整个园片上、片与片之间、批与批之间都有高度的均匀性。 氮化钽作为电阻，可用于单片微波集成电路(硼mC)和大规模集成电路(VLSI)中。 暴露在空气的表面，能形成一保护氧化层，使钽电阻在一定温度范围内能保持化学稳定性。 因为氧化锃对热、氯化等离子反应、强酸等具有阻挡性，所以它也是一种扩散阻挡层。薄膜 经溅射形成后，只要不经过太高的温度((600℃)，则其中所含杂质和晶格结构都已固定 下来。由于有着高度的稳定性，所以可以应用于瑚mC制造中，也可作为标准电阻应用于电 子仪器中——如电子天平。氮化钽可以淀积在诸如GaAs、Si、蓝宝石以及其它各种村底上。 钽是一种高熔点的难熔金属，除了利用电子束技术外，不易蒸发。广泛接受和采用的方 法是溅射淀积。用反应溅射容易形成、也易于控制氮化钽薄膜的形成，这种薄膜具有理想的 高电阻率、低电阻温度系数(TCR)和很强的稳定性等特点，表l中列出了氮化钽与其它材 料的性能比较。利用直流磁控溅射制各出了氮化钽薄膜电阻，将其应用于3英寸GaAsMMIC 制造中，开发出了最佳的工艺条件。本文给出了直流磁控溅射工艺的详细内容。 材料 方块电阻 电阻温度系数 控制精度 稳定性 (C2／sq) TCR(xlO’℃1 (％1 (％)150℃，l魄． Cr 10～500 ±100 ±01 0．5 Ti 印～2000 ．100～十200 ±l 08～l5 Ni-Cr(80：20、 10～300 ≤±100 士00l 02 Ta 80～200 ±200 士0．01 l Mo 500～900 -600～+1000 0．4～1 TN lO～300 ≤±100 ±0．01 0l 500～2000 ±250 ±l Cr-SiO(70：30) 瑚．5 删 50～200 ±100 ±0．0l 0l GaAs 3～100 土3000 二、工艺参数和实验结果 制各出的氮化钽薄膜电阻，是用备有手动真空锁和冷泵真空室的溅射台完成的：在直流 磁控溅射中．使用直径为8”的园形钽靶。在氩气和氮气的混合气氛中，反应溅射形成TazN． 为保证各批次之间的均匀一致性，承放衬底的转盘应接地。 x X10TTorr。真空室内 溅射系统的极限真空优于8 10’orr，溅射前的真空度应高于5 的压力，由节流阀进