CVD金刚石膜后续处理工艺对其电绝缘性能的影响.pdfVIP

金中扩散．金刚石膜金属化界面已经形成化学结合。 (3)利用PTDS．II光热偏转证实，优化的金刚石膜表面金属化工艺其热导率降低可控 制在6．5％以内。 致谢]RBS测试分析得到北京大学重离子物理研究所沈予定教授、王雪梅工程师的帮助：光 热偏转法金刚石膜热导率测试分析得到中国科技大学物理系方容川教授、叶桎渊博士的指 导，在此深表谢意。 参考文献 1 A_B●dni ofDiamondandRelatedblaterlals：ThirdIrltemationalConference，USA，1995(157～160) etc．．Al∞lica4ion 2 V．．KTimofeev№．4th蛳∞觚mIConferenceofAppficaoonofDiamondandRelatedMak．aa／s，助曲砒j997 3 It．artm．，lvlatff．ChemP埘s。37(1994)303～328 4刘重制，橱邦辐．李言荣辱电子学报Vol25-No电1997 CVD金刚石膜后续处理工艺对 其电绝缘性能的影响 潘存海杜素梅臻云虹 王少岩罗廷礼刁习刚 河北省科学院机电一体化中试基地 石索庄友谊南大街46号030081 摘要金刚石膜因其优良的热导率和良好的电绝缘性能，为制造先进的半导体热沉创造了极好的条件。 、P Gonon等Ⅲ和B．Fiegl等o’采用不同后续处理工艺对金网Ⅱ石膜电绝缘性能做了系统研究，但后续处理对金 刚石膜电绝缘性能的影响却存在明显的差异．本文采用不同后续处理工艺，系统地测量了金刚石膜电绝缘 性能．结果表明： (1)金刚石腆生长面和非生长面电绝缘性能有差别；通过抛光消除金刚石膜表面导电浅 层或氧化处理改变表面状态，可以提高金刚石膜的电绝缘性能．(2)真空热处理金刚石膜的电绝缘性能不 发生变化。 (3)金刚石膜表面导电浅层在影响它的电绝缘性能．而不是金刚石膜整体． 关键词 电绝缘性能金刚石膜化学气相沉积 1 前 言 V／cm【1J。 目前，典型的功率器件散热为200W／cm2，热沉电绝缘性能至少应达到5000 随着徽电子器件特别是功率器件功率密度和集成度的提高，半导体热沉材料应同时具备高热 导率和良好的电绝缘性能。现在，利用化学气相沉积方法制备能应用于半导体热沉的高热导 率(8。16W／em·K)金冈Ⅱ石膜已经取得成功。金刚石膜多厚才能满足半导体热沉散热要求 以及后续处理工艺对金刚石膜电绝缘性能的影响如何，是人们十分关心的问题。 P．Oonon等【I】分别采用真空热处理、惰性气体热处理、M、02气氛热处理以及酸处理与 来经处理的金刚石膜的电绝缘性能作了比较。结果N：、02气氛热处理以及酸处理工艺与未 经处理，真空热处理、惰性气体热处理工艺相比，金剐石膜电绝缘性能提高了7个数量级。 min)、来经处理与氧等离子体刻蚀工 B．FiegJ等翻采用真空热处理(500。C加热处理10 艺比较。真空热处理后金刚石膜绝缘性能较未经处理情况降低两个数量级，较氧等离子体刻 蚀工艺降低三个数量级。 本文采用不同后续处理工艺，系统地测量了金刚石膜电绝缘性能。根据试验结果推断金 刚石膜生长表面存在非金刚石导电浅层。该导电层通过高温氧化或抛光可以消除。金刚石膜 i． 刚石膜未被击穿，金刚石膜本身的电绝缘性能满足热沉的要求。 632 j 2试验方法 采用PlasmaJET CVD