长波长量子阱结构材料光荧光半宽度（FWHM）统计分布和机理探讨.pdfVIP

长波长量子阱结构材料光荧光半宽度(FWHM)统计分布与 机理探讨 丁田庆 (武汉邮电科学研究院 武汉430074) 摘要 本文报道了实测压应变型．匹配型量子阱结构材料和长波长俸材料室温下光荧光(PL)峰半宽度(Fw}D哪 的统计分布：井与英国EPI公司生长的类似结构材料进行了比较．分析和讨论了总的FWHM的构成和大致 量值范匿。指出了材料界面区非均匀性的结构差异将导至总的FWNM最大可达敛十mev的变化 一前言 长波长(1．31．1．55V．m)，超高速(25Gb，s以上】光纤通信中使用的激光器，现在国内外几 劣直接关系到赖以制作的LD的光电性能。因此，提高量子阱外延晶片的质量，就显得非常 重要了。 检测和评估外延片质量有多种方法。如按检测机理分，有光学的，电学的，光电的，化 学的等方法：如按对晶片损伤程度分．有破坏性的和非破坏性的。光荧光测试是一种菲破坏 FourierTry．asfomlPhotoluminescence 换光荧光谱(PL6120 Specrtromiter)．可以从10k至室温 材料的光荧光谱(OLS)。从PLS中不仅可以得出最窄带隙材料近似的有效能隙，而且根据荧 光峰的半宽度和蛏值强度，可以评估其有源层的晶层质量。 光荧光峰半宽度与许多因素有关。本文拟先报告几种量子阱材料实测光荧光峰的统计分 布．然后就其荧光峰扩宽机理作一些分析和讨论。 二。 几种量子阱材料实测光荧光峰半宽度的统计分布 二．1 1．35m压应变量子阱材料实测光荧光峰FW表}nvi统计分布 0—15．0 宽5．0—6．Ohm，垒宽13 Illn，5或6个周期。光荧光测试结果如下： 片号(No．)荧光峰能值(“)测试温度(℃)入射光功率(mw)FWHM(mev) 894 0．792 R下 2．9 28．0 880 0．796 RT 2．9 26．0 950 0．807 P,T 3．0 24．0 973 0,795 KT 5．0 28．0 998 0．803 RT 4．0 28．0 1044 0．815 RT 5．0 280 1031 0．820 ET 4．0 28．0 1072 O．803 RT 4．0 26．0 1093 0．807 P,T 4．0 31．0 1088 0．799 RT 6．0 280 平均值 27．8 二．2 1．31um匹配型量子阱材料 40 该材料有原区由匹配型hOaAsP量子阱层和／nGaAsP势垒层构成．阱宽5．0-6．0m，。垒 宽10．O．12．0nm，量子阱周期数为5或6，实测荧光峰FWHM统计分布如下： 襄2 1．31“um匹配型量子阱材料荧光峰FWHM统计分布 FWHM(mev) 片号甜o．)荧光峰能值(ev)测试温度(℃)入射光功率(row) 829 0947 RT 6．5 36．0 754 0．953 32．0 ”2 0．957 8 30．0 746 0．963 2