Pr掺杂对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响.pdfVIP

Pr掺杂对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响／李海金等 · 11· Pr掺杂对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响。 李海金，孟洁，刘 义，张蓓，程干 (安徽工业大学数理科学与工程学院，光电信息材料与技术研究所，马鞍山243032) 摘要 采用溶胶一凝胶法在石英玻璃基片上制备出了Pr掺杂ZnO透明导电薄膜，研究了Pr掺杂对ZnO透明 导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。实验结果表明，Zn。一，PrTO薄膜均为纤锌矿结构，当Pr掺杂含量为 1％时，Zn。一。Pk0薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低，具有最佳的光电综合性能。 关键词 溶胶一凝胶法ZnO：Pr薄膜透明导电薄膜 中图分类号：TN304文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2015．08．003 EffectofPr onthePhotoelectricofZnO Doping PropertiesTransparent ThinFilms Conducting LI Gan Jie，LIUYi，ZHANGBei，CHENG Haijin，MENG (Instituteof InformationMaterialsand ofMathematicsand Optoelectronic Technology，School Physics，Anhui of 243032) UniversityTechnology，Ma’anshan Abstract ZnO thinfilmswere onto substrates Pr_dopedtransparentconducting depositedquartz bysol-gelpro— effectofPr on andelectrical ofZnOthinfilmswerein— cessing．The dopingstructure，morphology，opticalproperties resultsshowthatthe structureof Ofilmswaswurtzitestructure．The vestigated．The crystal Zn卜。Pk samplepre— withPr contentof the thebest pared 1％possessedhighestoptoelectricalperformance，withcrystallinequality，the lowestelectrical the visibletransmittance． resistivity，andhighestaverage words thinfilms Key sol-gelmethod，ZnO：Pr films，transparentconducting 上，电阻率在10-4 0 引言