Al掺杂对自旋梯子化合物Sr14Cu24O41电输运性质的影响.pdfVIP

· · 26 材料导报B：研究篇 Al掺杂对自旋梯子化合物Sr。4CuM04。电输运性质的影响。 陈辰1，邱红梅1，潘礼庆2 (1北京科技大学数理学院，北京100083；2三峡大学新能源研究院，宜昌443002) 摘要 线衍射结果表明所有样品均为单相，AJ掺杂使样品晶格常数a．b发生涨落，但使晶格常数cl曲逐渐减小。X射线光 041 电子能谱结果表明m掺杂对体系内Sr、Cu、O离子价态不存在影响，并且AI离子以+3价的形式替代了Sr,tCu2t 体系内的Cu2+，不存在其他混合价态。电阻率测量结果表明所有样品均呈半导体性，Al掺杂使体系电阻率升高。进 一步分析表明所有样品存在一渡越温度Tp，Al掺杂使丁p发生微弱涨落。在Tp以上，自旋梯子中单个空穴热激活对 体系电导存在贡献。在丁D以下，自旋梯子中空穴的变程跳跃电导对体系电导存在贡献。实验数据拟合结果表明AI 掺杂使体系内单个空穴热激活能△以及局域态势垒参数R逐渐增大。 关键词 强关联电子系统 自旋梯子化合物掺杂电输运 中图分类号：0469文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023)(．2015．10．007 AluminumEffectontheElectronic of The PropertiesSpin Doping Transport Ladder Sr,4Cuu041 Compound CHEN Chenl，QIU Hongmeil，PANLiqing： of and ofScienceand of (1 Mathematic 100083；2College College Physics，UniversityTechnologyBeijing，Beijing ScienceandResearchInstituteforNew Three 443002) Energy，ChinaGorgesUniversity，Yichang AbstractAseriesof were samplespreparedby solid-state diffractionresultsshowedthatallofthe hada ledtothe reaction．X-ray samplessinglephase．A1doping showed lattice nandbfluctuate，butdecreased results