Ti掺杂β-Ga2O3电子结构和光学性质的第一性原理计算.pdfVIP

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2015-08-01 发布于湖北
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Ti掺杂β-Ga2O3电子结构和光学性质的第一性原理计算.pdf

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Ti掺杂β-Ga2O3电子结构和光学性质的第一性原理计算.pdf

·142· 材料导报B：研究篇 Ti掺杂p-Ga203电子结构和光学性质的第一性原理计算+ 郭艳蕊，严慧羽，宋庆功，陈逸飞，郭松青 (中国民航大学理学院，天津300300) 摘要采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法，研究了Ti掺杂pGa。0s系统的电子结构和光学性质。计算结果表明，Ti替代八面体的Ga(2)时系统形成能最低，容易在实验上合成；Ti掺杂在导带底附近引入了浅施主能级，极大地提高了pGa203系统的导电性。Ti掺杂时稳定体系倾向于自旋极化态，且费米面处自旋极化率接近100％。光学性质的计算结果显示，Ti掺杂8-GazO。是极具潜力的n型紫外透明的半导体。关键词电子结构光学性质第一性原理Ti掺杂p-Ga20a 中图分类号：0471文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2015．08．032 and of onElectronicStructure First—principlesStudy OpticalProperties 03 Ti—doped[I-Ga2 GUOYanrui，YAN Yifei，GUO Songqing Huiyu，SONGQinggong，CHEN Aviation of 300300) ofScience，Civil China，Tianjin (College University structureand ofthe andintrinsic werestudied AbstractTheelectronic Ti—doped 03 by opticalproperties 13-Ga2 calculationmethodbasedonthe functional showthat the density theory．ResultsTi—dopedp usingfirst-principles canbefabricatedin shallowdonor levelswereintroducednearthebottomofthe Ga203 experiments．The impurity Ti canenhancethe induced conductionbandTi conductivitysignificantly．Tidopant nearly by dopant，anddopants attheFermilevel．The resultsof revealthat 03isa analysis opticalproperties