深亚微米CMOS随机静态存储器反应堆中子辐射效应实验的研究.pdfVIP

中国核科学技术进展报告（第一卷） 核电子学与核探测技术分卷 Progress Report on China Nuclear Science Technology （Vol.1 ） 2009 年11 月 深亚微米CMOS 随机静态存储器反应堆 中子辐射效应实验研究 杨善潮，郭晓强，林东生，陈 伟，王桂珍，李瑞宾，白小燕 （西北核技术研究所，陕西西安 710024 ） 摘要：使用西北核技术研究所自主研制的存储器辐射效应测试系统，选取了0.25 µm 工艺4M 容量和0.13 µm 工艺16M 容量的CMOS 随机静态存储器（SRAM），在西安脉冲堆进行了中子辐射效应实验，研究了CMOS SRAM 在反应堆中 子辐射环境下出现的效应现象。两类存储器存储单元的翻转随中子注量的增长均无明显阈值。通过对实验结果的分析， 认为两类深亚微米的 SRAM 在西安脉冲堆的中子辐射出现了单粒子翻转效应，出现这种现象的原因是随着器件特征 尺寸的减小，存储单元翻转所需要电荷量下降导致。通过对翻转率的比较，说明工艺尺寸越小、集成度越高的存储器 越容易发生翻转。 关键词：中子辐照；深亚微米；随机静态存储器；单粒子翻转 随着微电子学的不断发展，随机静态存储器（SRAM ）的集成规模越来越大，工艺参数由微米 级向深亚微米发展，对于深亚微米SRAM 应用于反应堆中子辐射环境时出现的辐射效应成为人们日 益关心的一个问题，国外有文献报道[1]对特征工艺尺寸为0.22 µm，0.18 µm 和0.13 µm 的几种不同 集成度的CMOS SRAM 在6 MeV 以内的反应堆中子上进行辐射效应的研究，均出现了中子单粒子 效应，而国内有文献[2]研究了14 MeV 中子辐照下微米级CMOS SRAM 的辐射效应是中子单粒子效 应。我们在西安脉冲堆上对0.25 µm 工艺和0.13 µm 工艺的两种不同集成度的CMOS SRAM 进行了 辐射效应实验，通过实验发现在反应堆的中子辐射环境下就出现了中子单粒子效应。 1 辐射模拟源[3] 实验所用的模拟源为西安脉冲反应堆，根据实验研究的要求，我们选择了两种条件的快中子辐 射场。1 号快中子辐射场n/γ为 9 2 ，进行的中子辐射效应实验可以忽略γ射线对电子 6.1×10 n/cm ⋅rad 元器件的损伤；2 号快中子辐射场n/γ为 8 2 ，实验样品在该快中子场的辐照下，不能 3.3×10 n/cm ⋅rad 忽略γ射线对电子元器件的损伤。 图1 1 号快中子辐射场中子能谱的实验测量值与理论计算值的分布(φ(E)-E) 作者简介：杨善潮（1977—），男，新疆乌鲁木齐人，助理研究员，学士，主要从事抗辐射加固技术研究 102 图1 给出了1 号快中子辐射场中子通量密度的能谱分布，大于0.01 MeV 中子谱平均能量的理论 计算值和实验值分别为1.1 MeV，0.79 MeV 。图2 给出了2 号快中子辐射场的中子通量密度的能谱 分布，大于0.01 MeV 中子谱平均能量的理论值、实验测量值分别为1.4 MeV，1.0 MeV。 图2 2 号快中子辐射场中子能谱的实验测量值与理论计算值的分布(φ(E)-E) 2 实验样品及测试系统 实验的CMOS SRAM 样品有两种，1 号样品是日立公司的R1LP0408 ，容量为4 M ，采用0.25 µm 工艺生产；2 号样品是日立公司的HM62V16100 ，容量为16 M，采用0.13 µm 工艺生产。 使用西北核技术研究所存储器辐射效应在线测试系统对SRAM 的在中子辐射环境下出现的数据 翻转进行测试，图3 为存储器辐射效应在线测试系统测试框图。首先给SRAM 的所有逻辑地址中写 入特定的初始值（如55H 或AAH ，保证写入的逻辑“0 ”和“1”的数量相等），并保存初始值到比 较缓冲区；接着进行中子辐照，每当完成限定时间的辐照后，读取SRAM 中存储的数据，与比较缓 冲区存储的值进行比较，统计发生翻转的总位数并记录发生翻转的地址，将当前存储器数据更新到 比较缓冲区；记录中子注量率和辐照时间以计算入