稀薄气流中辐射的直接统计模拟和相应等离子体电场的计算.pdfVIP

稀薄气流中辐射的直接统计模拟 与相应等离子体电场的计算 何川萍 沈青 中国科学院 力学研究所 摘要本文中将包含热辐射真实气体模型的直接模拟统计方法应用于过渡领域 的回地绕流。其中利用了Bird发展的基本模型和一些最新模型。关于迄今为 止用问接方法进行的带电粒子引起的电场的计算，我们建议将DSMC方法应 用于等离子体二极管典型算例，其中有可能从Poisson方程直接计算电场。由 此所得结果用来检验确定电场的双极扩散方法的正确性。 1引言 直接模拟Monte Carlo(DSMC)方法广泛用于低密度流动复杂物理化 学现象的模拟．由于其复杂性(包括内能激发与松驰，化学反应，光子的发 射与吸收及等离子效应)及其在解决回地传热问题中的重要性，非平衡辐 射在最近10年来变得活跃并有许多文章[1-s]讨论。本文对回地绕流中的 非平衡辐射用DSMC方法进行模拟，采用了处理等离子效应，热辐射和吸 收过程的一些最近的模型，尤其注意等离子体中电场的计算。在有电离反 应的回地流动的直接模拟[3-q中，引入双极扩散概念以确定自感应电场。 这是一个计算电场的方法，但方法是间接的而未为Poisson方程的解所证 实。我们建议利用DSMC方法于一个典型算例，其中Poisson方程的解是 可能的，并利用由此得到的结果来检验间接方法的正确性。根据本文计算 结果，闯接方法得不到电荷分布所确定的电场的正确解。 2模拟方法和模型 2．1非平衡辐射的直接模拟 对于辐射的分析基于驻点流动区域的模拟，而驻点区按Bird【11所建 议的方法做为一维流动计算。在模拟中运用了文献(：】中所用的化学反应， 334 等离子体效应，热辐射吸收的基本模型。在辐射的模拟中，应用了Bird‘2l 所建议的碰撞激发数，然后利用Carlo[6]所建议的方法更准确地确定了这 些激发数，采用了电子激发和辐射态寿命数据。在处理吸收过程时，采用 了常吸收截面和Hassan(7·8j所发展的方法。 2．2等离子体中的电场 在流场中由于电离反应产生出电子和离子，应该考察等离子体效应。 由于每一个模拟分子代表着过多的真实分子，模拟电荷的涨落导致比真实 场强的多的电场。因此建议了一些间接方法以确定电场。 Bird建议了一个简单的模型11]，电子随离子运动，从而电中性自动 导的方程 E=一(k￡／e)d(1nn。)／dx (1) 然后将电场产生的作用在离子上的力引入计算中重新计算流动。改变的流 动数据给出新的电场，过程重复直至在分布中没有进一步的变化发生。 在Carlson的模型I5)中，时间平均电场在一个由大约lo个相邻的网 格组成的区域(称为超网格)内计算。电场的计算基于这样的假设：在一个 超网格内，总离子流等于总电子流：Vi=V。，其中 陆等+半饕 ㈦ V，：塑塑～一eEAt 131 ㈥、1 2 ∑!』!! 上 从而得到以下方程半：娑4- 肌 。mc 其中出是电子的时间步长，m印为。和是电子和离子的初始速度， 肌 和肌是模拟电子和离子数，m。，m。是电子和离子的质量。∑对超网格 求和，对于离子的不同组分s也进行求和。 两种模型导致十分不同的结果。根据[3】中所示的电场，我们可以通过 模拟分子代表大约lo”个真实分子。正如Bird最早指出|12】，模拟电荷 的涨落导致的电场远大于真实场。 我们建议将DSMC方法应用于平面等离子体二极管问题以检验间接