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新型闪烁体——掺铈硅酸钆晶体研制
罗梓贤程宏范侯英民+
(北京有色金属研究总院,北京,100088)
(+长春半导体厂,长春,130012)
摘要掺缔硅酸钆具有核物理和核技术中使用的 SiOz(--氧化硅).
先进探测系统所必需的全部特性,是一种有前途的闪 表1掺铈硅酸钆的物理性质‘21
Table1 ofGSO—Ce
烁体。本文详细介绍掺铈硅酸钆物理性能、晶体生长 Physicalproperties
工艺、掺铈量控制以度如何防止脆裂等内容。 发光效率(以NaI(T1)为100)25
关键词掺铈硅酸钆闪烁体晶体生长脆裂 密度(g/cm3) 6.17
等效原子序数 59
1引言 7.8%
能量分辨率(661.5keV.T晶体/cm3)
光输出温度系数(%/C) 一0.3
核物理和核技术的发展需要先进的探测系统来
有效使用温度(℃) ≤150
解决硬辐射流和带电粒子流的检测。用闪烁晶体做探 发光袁落时问(ns) 60
头的探测器检测7射线和高能x射线探测是最广泛 有效计数率(kHz) 200
使用的检测装置。闪烁晶体第一代是碘化钠(铊) 发光光谱峰值(nm) 430
折射指数 1.85
[NaI(TIH,它的缺点是密度小(3.679/cm3),探测效 否
是否潮解
率低,发光衰落时间长(230ns)计数不高,易潮解。第
表2
二代是锗酸铋[B|‘GesO。z简称BGO],它的缺点是发较【”
Table2 Scintillation ofGSO—Cecom
光衰落时间长(300ns)计数不高,使用温度低(小于 properties
30(2).90年代兴起的新型稀土化合物硅酸钆(铈)
等效原子序数 90 74 59
[Gd2SiOs—Ce简称GSO]是第三代,它兼备了NaI
密度(g/cm3) 3 67 7.13 6.71
(T1)和BGO的优点,且发光衰落时间短(60ns),抗辐
发光效率 100 12 25
射能力强(106Gy),具有探测系统广泛应用所必须 5keV.
能量分辨率(661
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