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新型闪烁体——掺铈硅酸钆晶体研制
罗梓贤程宏范侯英民+
(北京有色金属研究总院，北京，100088)
(+长春半导体厂，长春，130012)
摘要掺缔硅酸钆具有核物理和核技术中使用的 SiOz(--氧化硅)．
先进探测系统所必需的全部特性，是一种有前途的闪 表1掺铈硅酸钆的物理性质‘21
Table1 ofGSO—Ce
烁体。本文详细介绍掺铈硅酸钆物理性能、晶体生长 Physicalproperties
工艺、掺铈量控制以度如何防止脆裂等内容。 发光效率(以NaI(T1)为100)25
关键词掺铈硅酸钆闪烁体晶体生长脆裂 密度(g／cm3) 6．17
等效原子序数 59
1引言 7．8％
能量分辨率(661．5keV．T晶体／cm3)
光输出温度系数(％／C) 一0．3
核物理和核技术的发展需要先进的探测系统来
有效使用温度(℃) ≤150
解决硬辐射流和带电粒子流的检测。用闪烁晶体做探 发光袁落时问(ns) 60
头的探测器检测7射线和高能x射线探测是最广泛 有效计数率(kHz) 200
使用的检测装置。闪烁晶体第一代是碘化钠(铊) 发光光谱峰值(nm) 430
折射指数 1．85
[NaI(TIH，它的缺点是密度小(3．679／cm3)，探测效 否
是否潮解
率低，发光衰落时间长(230ns)计数不高，易潮解。第
表2
二代是锗酸铋[B|‘GesO。z简称BGO]，它的缺点是发较【”
Table2 Scintillation ofGSO—Cecom
光衰落时间长(300ns)计数不高，使用温度低(小于 properties
30(2)．90年代兴起的新型稀土化合物硅酸钆(铈)
等效原子序数 90 74 59
[Gd2SiOs—Ce简称GSO]是第三代，它兼备了NaI
密度(g／cm3) 3 67 7．13 6．71
(T1)和BGO的优点，且发光衰落时间短(60ns)，抗辐
发光效率 100 12 25
射能力强(106Gy)，具有探测系统广泛应用所必须 5keV．
能量分辨率(661
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