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新型闪烁体——掺铈硅酸钆晶体研制.pdfVIP

新型闪烁体——掺铈硅酸钆晶体研制.pdf

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新型闪烁体——掺铈硅酸钆晶体研制 罗梓贤程宏范侯英民+ (北京有色金属研究总院,北京,100088) (+长春半导体厂,长春,130012) 摘要掺缔硅酸钆具有核物理和核技术中使用的 SiOz(--氧化硅). 先进探测系统所必需的全部特性,是一种有前途的闪 表1掺铈硅酸钆的物理性质‘21 Table1 ofGSO—Ce 烁体。本文详细介绍掺铈硅酸钆物理性能、晶体生长 Physicalproperties 工艺、掺铈量控制以度如何防止脆裂等内容。 发光效率(以NaI(T1)为100)25 关键词掺铈硅酸钆闪烁体晶体生长脆裂 密度(g/cm3) 6.17 等效原子序数 59 1引言 7.8% 能量分辨率(661.5keV.T晶体/cm3) 光输出温度系数(%/C) 一0.3 核物理和核技术的发展需要先进的探测系统来 有效使用温度(℃) ≤150 解决硬辐射流和带电粒子流的检测。用闪烁晶体做探 发光袁落时问(ns) 60 头的探测器检测7射线和高能x射线探测是最广泛 有效计数率(kHz) 200 使用的检测装置。闪烁晶体第一代是碘化钠(铊) 发光光谱峰值(nm) 430 折射指数 1.85 [NaI(TIH,它的缺点是密度小(3.679/cm3),探测效 否 是否潮解 率低,发光衰落时间长(230ns)计数不高,易潮解。第 表2 二代是锗酸铋[B|‘GesO。z简称BGO],它的缺点是发较【” Table2 Scintillation ofGSO—Cecom 光衰落时间长(300ns)计数不高,使用温度低(小于 properties 30(2).90年代兴起的新型稀土化合物硅酸钆(铈) 等效原子序数 90 74 59 [Gd2SiOs—Ce简称GSO]是第三代,它兼备了NaI 密度(g/cm3) 3 67 7.13 6.71 (T1)和BGO的优点,且发光衰落时间短(60ns),抗辐 发光效率 100 12 25 射能力强(106Gy),具有探测系统广泛应用所必须 5keV. 能量分辨率(661

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