新型闪烁体——掺铈硅酸钆晶体研制.pdfVIP

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2015-08-03 发布于安徽
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新型闪烁体——掺铈硅酸钆晶体研制.pdf

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新型闪烁体——掺铈硅酸钆晶体研制罗梓贤程宏范侯英民+ (北京有色金属研究总院，北京，100088) (+长春半导体厂，长春，130012) 摘要掺缔硅酸钆具有核物理和核技术中使用的 SiOz(--氧化硅)．先进探测系统所必需的全部特性，是一种有前途的闪表1掺铈硅酸钆的物理性质‘21 Table1 ofGSO—Ce 烁体。本文详细介绍掺铈硅酸钆物理性能、晶体生长 Physicalproperties 工艺、掺铈量控制以度如何防止脆裂等内容。发光效率(以NaI(T1)为100)25 关键词掺铈硅酸钆闪烁体晶体生长脆裂密度(g／cm3) 6．17 等效原子序数 59 1引言 7．8％能量分辨率(661．5keV．T晶体／cm3) 光输出温度系数(％／C) 一0．3 核物理和核技术的发展需要先进的探测系统来有效使用温度(℃) ≤150 解决硬辐射流和带电粒子流的检测。用闪烁晶体做探发光袁落时问(ns) 60 头的探测器检测7射线和高能x射线探测是最广泛有效计数率(kHz) 200 使用的检测装置。闪烁晶体第一代是碘化钠(铊) 发光光谱峰值(nm) 430 折射指数 1．85 [NaI(TIH，它的缺点是密度小(3．679／cm3)，探测效否是否潮解率低，发光衰落时间长(230ns)计数不高，易潮解。第表2 二代是锗酸铋[B|‘GesO。z简称BGO]，它的缺点是发较【” Table2 Scintillation ofGSO—Cecom 光衰落时间长(300ns)计数不高，使用温度低(小于 properties 30(2)．90年代兴起的新型稀土化合物硅酸钆(铈) 等效原子序数 90 74 59 [Gd2SiOs—Ce简称GSO]是第三代，它兼备了NaI 密度(g／cm3) 3 67 7．13 6．71 (T1)和BGO的优点，且发光衰落时间短(60ns)，抗辐发光效率 100 12 25 射能力强(106Gy)，具有探测系统广泛应用所必须 5keV．能量分辨率(661