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引线框架铜带的生产工艺设计.pdf

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引线框架铜带的生产工艺设计 崔曼 (洛阳有色金属加工设计研究院471039) 摘要:根据不同的合金粪型和特点,选择相应的生产工艺和加工设备,是制造高精度引线框架铜带 的关键.本文以C19400.C19210台金为例,叙述生产引线框架铜带的技术特点和设计思路. 关键词:引线框架材料铜畚金 生产工艺设计 一、绪言 引线框絮铜带是为适应电子信息高新技术产业的迅速发展而发展起来的高性能,高新技 术密集型产品.它是专门用于制造半导体分立器件和集成电路块的引线框架材料.我国目前 使用的半导体分立器件和集成电路块,一是整体进口,二是进口引线框架国内封装,三是进 口铜带国内糊成引线框架后封装.四是近年来研制的少量国产铜带翩成引线框架后封装.作 为基础材料的引线框架铜带,几乎全部需要从国外进口.近几年随着我国大规模集成电路和 超大规模集成电路生产线的启动,引线框絮铜带的需求量越来越大.因此建立一条高精度引 线框架钢带生产线,填补我国电子基础材料的空白,实现引线框架铜带国产化是电子材料行 业的当务之急“’. 本文从设计工艺方集的观点出发,论述生产引线框架铜带的技术特点. 二、引线框架材料 1.对引线框架材料的性能要求 由于电子产业的迅速发展,电子设备日益高性能化和多功能化,半导体分立器件和集成 电路用5l线框架材料要具备以下性能: ④导电导热性能好.随着电子元器件集成度的提高和功率消耗的增大,必须提高其散热 性能以保持芯片在容许的温度范围内工作,此外,由于电子设备的传输信号和工作频率的提 高,引线框架材料还要具有良好的导电性能,以减少电容和电感效应的不良影响,进一步降 低外引线的阻抗,减轻芯片发热. ②较高的强度和硬度.根据不同的用途,引线框架材料的强度和硬度要求各不相同.目 前一般要求引线框架材科的抗拉强度在35—75kgf/衄2之问,延伸率不低于4%,维氏硬度 应在120以上,反复弯曲次数为4一lO次.由于半导体装置向短小轻薄化的发展,引线框架 材料在具有蓖好的导电性的同时,应有更高的强度。 ⑦耐热性能和抗氧化性能好.通常以软化温度来表示材料的耐热性能.印将材料加热 五分钟,使其硬度降至常温下的80%的加热温度,称之谓软化温度.引线框架软化温度要 求在400C以上.如1219210合金的软化温度是748oI【(475(2),见图1“’.因此它对半 导体组装时的热影响的可靠性很高.材料的抗氧化性能是材料在受热g-4#-F有抿抗氧亿的能 力.对于保证器件的可靠运行是至关重要的. 善 ~、}、~ ,. 懈 善 !::一』,j I!\} 二 蕾 基俎度OC)x5毋.} 图1 C19210合金的软化温度 @须有一定的耐蚀性.耐蚀性是对引线框架材料长期使用可靠性的检查,应在不同季节 和气候条件下工作而不引起应力腐蚀裂纹. ⑤要求材料尺寸(厚度、宽度)偏差小,板型平整,残余应力小.剪切毛刺不大于厚度 的3—5%.以保证冲剁后的引线框架在扭曲、偏斜、共面性等方面有极高的形状精度.目 前使用引线框架材料厚度为o.15—0.4衄.随着半导体装置向短小轻薄、高密度实装化的发 展,引线框材料厚度由0.15—o.125—o.100mm日益高精度薄型化. ⑥焊接性能好.要求框架材料表面光洁,容易镀层(镀Sn,Au、Ag等),并且镀层不 易剥落. ⑦封装性能好.在封装温度下引线框架的热膨胀系数与芯片和封装材料相接近,确保封 装的可靠性. ④良好的反复弯曲性能和弯曲加工性能.以满足高速)÷剪和弯曲加工的要求. 总之,对框架材料的性能、质重要求,牵涉到许多方面,重要的质量问题在于与不同材 料直接或间接(电镀、锡焊)地与芯片、引线、密封树脂、基板接合的基本性能以及成型、 封装的二次加工性能和使用性能.理想的引线框架材料是希望具有高强、高导、低应力、高 耐蚀和精密加工性等多方面综合性能. 2.引线框架材料的类别和现状 目前能够满足上

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