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GaN制程设备简介 目录 化学站 蚀刻站 黄光站 蒸镀站 研磨抛光 镭射切割 点测站 分类站 化学站 1.酸碱清洗槽 蒸镀前清洗 基板清洗 蚀刻 2.有机清洗槽 基板清洗 去光阻 金属剥离 3.SRD(旋干机) DI water清洗 热N2烘干 蚀刻站 1.PECVD(化学气相沉积系统) 沉积SIO2/SINx作Hard mask阻挡层 沉积SIO2/SINx作绝缘层,防止IR以及增加光的输出. 2.ICP(等离子蚀刻系统) 利用等离子体蚀刻出PN结的N电极. 蚀刻金属电极. 把光罩上的图形真正意义上的转化到晶片上. 3.a-step(表面纵深测量仪) 测量PN结的高度差 4.椭圆仪 对PECVD沉积SIO2/SINx的厚度进行监控. 量测PECVD沉积SIO2/SINx的折射指数. 黄光站 1.Spin coater(上光阻机) 利用离心旋转涂布方式在晶片上涂布一层感光物质. 2.Aligner(曝光机) 利用光的能量对感光物质进行结构上的破坏. 3.显影槽 把光罩上的图形经由光照后的感光物质显现出来. 4.电浆去光阻机 对光阻表面进行整理 残余光阻去除 金属表面整理 蒸镀站 1.蒸镀机 利用电子束/热藕电阻对金属热熔后蒸镀. 蒸镀透明导电极 蒸镀金属焊垫 2.Furnace(炉管) 对透明导电极进行高温熔合,以增加透明电极的导电性以及欧姆接触. 3.穿透率量测仪器 量测透明导电极厚度 光的穿透率 研磨抛光 1.研磨机 把经前段制程的晶片从300um研磨至100um左右. 由于研磨后的晶片会凹凸不平,必须要经过抛光机把研磨后的晶片抛光到87um左右. 镭射切割 1.镭射机 以镭射能量控制沿晶片切割道对其进行半切 2.劈裂机 以雪崩劈裂方式把经过半切的晶片完全劈开分离 点测站 1.Prober(点测机) 对晶粒的光电特性(VF,WD,IV.IR)进行点测 为Sorter提供有效的分类依据 分类站 1.Sorter(分类机) 根据Prober点测数据,按不同的等级对晶粒分类. 2.目检机 把分类后外观不良的晶粒挑出. * * * *