电子元件实验室认可证书附件.docVIP

 中国合格评定国家认可委员会 实 验 室 认 可 证 书 附 件 (No. CNAS L2047) 名称：艾默生网络能源有限公司研发部实验室 地址：广东省深圳市南山区科技园科发路1号 签发日期：2009年02月06日 有效期至：2010年04月21日 附件1-1 认可的检测能力范围 序号 产品/ 产品类别 项目/参数 代码 检测标准（方法）名称及编号 （含年号） 限制 范围 说明 序号 名称 8 场效应晶体管 1 外观和尺寸检查 0418 半导体器件.机械和气候试验方法 2 漏源击穿电压 BVdss 0418 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章3 GB/T 4586—94，IEC 747-8-1984 3 域值（开启）电压Vgs(th) 0418 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章 6 GB/T 4586—94，IEC 747-8-1984 4 导通电阻 Rds(on) 0418 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章15 GB/T 4586—94，IEC 747-8-1984 5 输入电容 Ciss 0418 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章7 GB/T 4586—94，IEC 747-8-1984 6 输出电容 Coss 0418 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章9 GB/T 4586—94，IEC 747-8-1984 7 反馈电容 Crss 0418 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章11 GB/T 4586—94，IEC 747-8-1984 8 栅极击穿电压 Vgss 0418 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章2 GB/T 4586—94，IEC 747-8-1984 9 漏极漏电流 Idss 0418 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章3 GB/T 4586—94，IEC 747-8-1984 10 栅极漏电流 Igss 0418 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章2 GB/T 4586—94，IEC 747-8-1984 11 可焊性 0418 半导体器件.机械和气候试验方法 IEC 60749-2002 part 21 12 耐焊接热 0418 半导体器件.机械和气候试验方法 IEC 60749-2002 part 20 13 高温反偏 HTRB 0418 美国军用标准 半导体试验方法1042.3 MIL-STD-750D-1995 HTRB后漏电流过大的原因有2大点：1，在wafer表面出现漏电流? ?? ?原因：可能有水汽进入塑封体；wafer表面有污染；塑封料中离子含量过2，在wafer栅氧里有离子存在? ?? ?原因：塑封料应力过大引起栅氧的压电效应；高温条件下栅氧中离子活性增强在高反压下向栅氧的Si－SiO2边上集中，而在常温下温度降低离子活性降低集中在Si－SiO2边上，当ds间加电压时导致漏电流过大！ 美国军用标准 半导体试验方法1042.3 MIL-STD-750D-1995 HTGB：High Temperature Gate Bias, 在规定的结点温度下，在最大正向栅电压下储存1000个小时 JEDEC 标准 温度循环JESD22-A104-B 2000 16 高温高湿 0418 JEDEC 标准 恒温恒湿寿命试验JESD22-A101-B 1997 17 HAST 0418 JEDEC 标准 温湿度高加速应力试验 JESD22-A110-B 1999 HAST（high accelerated temperature humidity stress test）HAST 高加速应力实验，俗称压力锅实验，高温，高湿，高压。该实验温度一般在100degC以上，湿度在95%以上，压强2个大气压差不多. K. C W. S, a! [- o4 h% M5 M m* wIC做该实验的目的是验证它的可靠性，在这种条件下，如果IC有Delamination,水汽会渗透进取，从而对IC后续的可靠性产生影响。5 Y: E |8 K `( @该实验一般需要前后做Functional test,X-Ray, C-SAM实验对比。 9 绝缘栅双极晶体管 1 外观和尺寸检查 0418 半导体器件.机械和气候试验方法 IEC 60749-2002 part 3 2 漏源截至电压 0418 绝缘栅双极晶体管测试方法