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封装测试技术 IC T Package Test Technology S IC测试原理-存储器和逻辑芯片的测试 许伟达 （科利登系统有限公司） 1 存储器芯片测试 大允许时间间隔。 建立时间(Setup Time)：输入数据电平在锁存 存储器芯片是在特定条件下用来存储数字信息 时钟之前必须稳定保持的时间间隔。 的芯片。存储的信息可以是操作代码，数据文件或 速度(Speed)：功能速度测试是通过重复地进 者是二者的结合。根据特性的不同，存储器可以分 行功能测试，同时改变芯片测试的周期或频率来完 为以下几类，如表 1所示。 成的。测试的周期通常使用二进制搜索的办法来进 表1存储器的种类与特性 行改变。这些测试能够测出芯片的最快运行速度。 存储器的种类 特性 读取时间(Access time)：通常是指在读使能， 闪存(Flash)低成本，高密度，速度快；低功 芯片被选中或地址改变到输出端输出新数据的所需 耗，高可靠性 只读存储器(ROM)成熟的技术，高密度，可靠的， 的时间。读取时间取决于存取单元排列次序。 低成本；写入速度慢，适用于固 定代码存储的批量产品 3 存储器芯片所需的功能测试 静态随机读取存储器 速度最快，高功耗，低密度； （SRAM） 较低的密度关系使其生产成本上升 存储器芯片必须经过许多必要的测试以保证其 较高 功能正确。这些测试主要用来确保芯片不包含以下 电可编程只读存储器(EPROM)高密度；必须通过紫外线照射来 任何一种类型的错误： 擦除内存数据 电可编程可擦除编程只读存 以字节方式进行电擦除；低可靠 存储单元短路：存储单元与电源或者地短路。 储器(EEPROM)性，高成本，密度最低 存储单元开路：存储单元在写入时状态不能改变。 动态随机读取存储器(DRAM)高密度，低成本，高速度，高 相邻单元短路：根据不同的生产工艺，相邻 功耗 的单元会被写入相同或相反的数据。 地址开路或短路：这种错误引起一个存储单 2 存储器术语的定义 元对应多个地址或者多个地址对应一个存储单元。 在讨论存储器芯片测试之前，有必要先定义一 这种错误不容易被检测，因为我们一次只能检查输 些相关的术语。 入地址所对应的输出响应，很难确定是哪一个物理 写入恢复时间(Write Recovery Time)：一个 地址被真正读取。 存储单元在写入操作之后到能正确读取之前这中间