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　第 20 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 6　 V o l N o 　1999 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June SiGe HBTs 高频特性模拟分析 赵立新　　沈光地 (北京工业大学电子工程系　北京市光电子技术实验室　北京　100022) 摘要　 本文详细分析了下述问题: ( 1) 在基区厚度减薄到几十纳米后, 发射区时间常数、集电 区时间常数对 SiGe HBT s 的高频特性的影响; (2) 低掺杂浓度发射区层对发射区渡越时间的 影响; (3) 在发射结耗尽层中, 除了固定电荷因素引起的电容外, 发射结正常工作加正向偏压 时, 由于自由载流子注入引起的EB 结电容. 由以上物理分析可以得出器件的有关参数, 并由 器件的等效电路, 对器件的高频特性进行分析和模拟, 对影响器件高频特性的参数进行优化. : 2520 , 2530 , 2560 EEACC C C J 1　引言 SiGe 应变层及应变超晶格材料、器件的研究, 显示出 SiGe 器件在高速、高频及光电子 [ 1～ 3 ] 领域具有巨大的潜力和应用前景. 其中 SiGe HBT s 是发展较快的器件之一 . 对于 SiGe 合金材料的研究可以追溯到本世纪五十年代, Glickm an [ 4 ] 对 SiGe 合金层的材料特性进行 了测量分析. 当N 型 SiGe 材料中硅含量为 14% 时其能带结构发生变化, Si 组分从 8% 增加 到 14% 时, 电阻率的增加霍尔迁移率的下降变得明显. 七十年代 Kasper [ 5 ] 用超高真空外延 技术在 750 ℃衬底温度下, 在 Si 衬底上成功地生长出了 Si1- x Gex 超晶格层. 其中 Ge 含量 x - 3 多层结构中的 组分 , 从 为 02, 晶格失配达到 = 8 ×10 . 通过周期性改变 1- x x Ge x x Si Ge = 0 到 = 0 15, 在 衬底上生长出 10～ 80 周期范围的 1- x x 超晶格层, 并成功地采 x Si nm Si Ge 用了单晶生长, 无互扩散, 二维生长和赝晶生长技术. 宽禁带发射极双极晶体管思想的提出 也可以追溯到本世纪五十年代. Schok ley[ 6 ] 首先提出了宽禁带发射极双极晶体管的思想, K roem en 阐述了宽禁带发射区双极晶体管理论. 如果发射区比基区有较宽的禁带宽度则发 射极注入损失可以降低几个数量级. 采用具有适合的发射极效率, 同时发射区比基区有低得 多的杂质浓度的晶体管是可以实现的. 三十年后, Iyer [ 7 ] 等人采用分子束外延M BE 的方法, 制作出了 SiGe HBT s 器件. 本文详细分析了下述问题: ( 1) 在基区厚度减薄到几十纳米后, 发射区时间常数、集电 区时间常数对SiGe HBT s 的高频特