AlN薄膜的离子反应镀工艺优化及分析.pdfVIP

维普资讯 第36卷 第3期 2007年6月 袁表面豳投技术不 Vo1．36 No．3 Jun．20O7 SURFACE TECHNOLOGY e 0≈0≈0 0 ) ri工艺研究fi， -l、 ； ：= ＼ AIN薄膜的离子反应镀工艺优化及分析 刘思用，林立，杨武保，孙惠峰 (中国石油大学(北京)机电工程学院材料系，北京 102249) [摘 要] 利用高纯氮气和铝，采用离子反应镀的方法，在石英玻璃衬底上成功制得A1N薄膜。正交设计优化结果表明：A1N 薄膜最大沉积速率达到0、81Ixm／min，其相应的工艺参数为：蒸发电压225V，轰击电压70V，轰击时N 气压为 1．5999Pa。X一射线衍 射、原子力显微镜、近红外光谱、拉曼光谱对薄膜进行 了分析，证明了A1N薄膜的存