CMP中薄膜厚度问题研究.pdfVIP

维普资讯 王春等 CMP中薄膜厚度问题研究 CMP中薄膜厚度问题研究 王春，安伟 (江南大学机械工程系，江苏 无锡 214036) [摘 要] 就 目前CMP建模 当中没有考虑到芯片表面的薄膜氧化所需时间对模型建立所产生的影响，以至最后模 型的预测结果与试验结果相差甚 多的问题进行探讨 在基于理论分析的基础上提 出以椭偏仪法测定出芯片表面薄膜生成 厚度与浸泡时间精确的对应关系 试验结果表明：在模型建立时，芯片表面薄膜厚度的生成时间对模型的建立有着重要影 响，精确测定其时间对应关系将有助于使得所建模型的预测结果与试验结果进一步吻合。 [关键词] CMP；薄膜厚度；椭偏仪法 [中图分类号]TG174．45l；TG175 [文献标识码]A [文章编号]1001—3660f2006)06—0