气相沉积bcc薄膜时的织构与价电子结构的关系.pdfVIP

维普资讯 维普资讯 172 材 料 热 处 理 学 报 第 29卷 得到了不 同取 向的化学键上共价 电子对数 ，将其与 为一个常数 ，其取值见文献[13]。 Walton的理论结合 ，提 出了在非 晶或多晶基底上气相 进行键距差处理得 ，方程 沉积面心立方金属 (fee)薄膜时织构形成的电子结构机 lgrB=lg(RB，nA)= (DA—DB)，卢 理 ，得到了与现有实验事实完全一致的结果。 lgrc=lg(nc，nA)= (DA—Dc)，卢 目前 ，气相沉积体心立方 (bcc)金属如钼、铬 、钽 、 lgrD=lg(nD／nA)= (DA—DD)，卢 铌的薄膜受到 了越来越多的关注 ，且在沉积过程中都 取定 卢可计算出r、r、r。的值，因此一个结构 发现 了织构 的生