Presentation-变压器绕组分析设计方法与举例-.ppt

DPEC - Chen Wei * 变压器绕组损耗分析设计与举例 陈 为 博士 chw@fzu.edu.cn 福州大学电气工程与自动化学院 教授，博导 中国电源学会常务理事，专家委员会副主席 变压器与电感器专委会主任委员 磁性元件的设计考虑 结构设计 电气设计 损耗设计 温升设计 EMI设计 杂散参数 高频涡流损耗机理 r i(t) r J(r) Jeddy Jsource Jtotal Jtotal = Jsource + Jeddy H(t) R -R 0 Jsource H(t) Jeddy 集肤效应 邻近效应 气隙 H(t) Jeddy 由于涡流效应，导致电流密度分布不均匀，从而引起损耗的增加 x i(t) H(t) H1 H2 0 L With D 绕组交流电阻随频率的提高而增大； 绕组交流电阻随所处磁场强度的增大而增大； 绕组交流电阻随铜箔宽度/导线线径变化存在一个最小损耗点。 f H1 D P 铜箔绕组交流损耗特性 H1=0 f=100K H1=0, f=100K 变压器绕组窗口的磁场分布 激磁磁通 漏磁通 涡流分布 40:2 Ip Is Im 变压器绕组窗口内磁场一般平行于绕组层 MMF(x) Ip x H(x) mc 由于 很大 H1 H2 H5 变压器绕组窗口内磁场的计算 x 根据安培环路定律可计算每层导体两侧的磁场分布 MMF(x) Ip