12模拟电路基础.ppt

* 三、差分对放大器 为什么使用差分对? * 为什么使用差分对? 三、差分对放大器 消除电源干扰 * 消除时钟干扰 * 消除时钟干扰 * 消除时钟干扰 信号以差分的方式传输 时钟以差分的方式传输 * 1.基本差分对 * 电流源驱动的基本差分对 尾电流源 差分对的输入输出特性 VDD-RDISS 思考：管子的宽长比及尾电流的大小如何影响差分对的输入输出特性曲线？ * 尾电流源差分对的两个重要特性 输出端的最大电平和最小电平是完全确定的， 与输入共模电平无关 小信号增益当Vin1=Vin2时达到最大，且随着 | Vin1-Vin2|的增大而减小 VDD~VDD-RDISS * 常用差分对的输入输出特性 * 差分对增益 半边等效电路增益：同共源极电路 （忽略沟道长度调制效应） VDD-RDISS * 四、恒流源电路 用途： 偏置电路 有源负载 基本形式： 镜像电流源（电流镜） 电流源的关键指标： 输出电阻、电容等 稳定性：对电源、工艺、温度的依赖性 * 电流源 电流IOUT严重依赖电源，温度和工艺！！！ * 镜像电流源（电流镜） 假设已经存在一个精确的电流源IREF * VGS1＝f－1（IREF） 如果忽略沟道长度调制效应 镜像电流源（电流镜）cont. * 例题1: 如果图中的所有晶体管都工作在饱和区.求M4的漏电流. 解: 根据公式 有: 同时,|ID3|=|ID2| * 对基本电流镜的仿真（W＝1.2U） * 对基本电流镜的仿真（W＝50U） * 考虑到沟道调制效应 VDS1=VGS1=VGS2 VDS1 ≠ VDS2 * 镜像电流源（电流镜）cont. -------- 共源共栅电流镜 选择Vb,使得 VY＝VX， 即Vb- VGS3 ＝VX Vb=VGS3+VX 若(W/L)3/(W/L)0=(W/L)2/(W/L)1 则VGS0＝VGS3，VY＝VX VGS0+VX=VGS3+VY IOUT=IREF * 损失了电压余度 * 镜像电流源（电流镜）cont. 改进的共源共栅电流镜 M2饱和的条件: Vb-VTH2=VX(=VGS1) M1饱和的条件: VGS1-VTH1=VA(=Vb-VGS2) * 镜像电流源（电流镜）cont. 改进的共源共栅电流镜 VGS2=VGS4 如果: Vb=VGS2+(VGS1-VTH1)=VGS4+（VGS3-VTH3),则当M1和M3保持相等的漏源电压时,共源共栅电流镜M3--M4消耗的电压余度最小(两个管子的过驱动电压之和).我们称之为“低压共源共栅结构”。 * 理想电流源 Iout对电源VDD很敏感！！ 精确电流源（电流基准）的产生 电阻 * 精确电流源（电流基准）的产生cont. 与电源无关的偏置 简单电路 Iout＝KIREF 电流值可以是任意值！ * 为确定电流增加电阻RS （M2存在体效应） 消除体效应的替代电路 IOUT与VDD无关 * PTAT：proportional to absolute temperature 原理： Vout＝IPTATR2+VBE IPTAT与温度成正比,VBE与温度成反比（负温度系数） 两者抵消，Vout与温度无关 基准电压源电路（与温度无关） * 运算放大器 M1管上的栅压有一个微小的增加,使得ID1增加, ID2减小, ID3、ID4增加。 输出电压的放大由ID2的减小及ID4的放大决定 * 两级运算放大器 * 作业 1.求共漏极电路的Ri、RO、av值 2.要使Iout=8IREF，设计图中晶体管的尺寸。已知(W/L)1=1um/0.5um，（W/L)2=2um/0.5um。 * * * 半导体 集成电路 * 第12章 模拟电路基础 * 自然界信号的处理 大自然 计算机世界 ADC 010 111 101 CPU DSP ADC 010 111 101 滤波器 * 数字通信 有损耗电缆 Vin Vout t * 内容提要 MOSFET的小信号模型 模拟电路中的基本单元 单极放大器 差分对放大器 电流源 运算放大器 * 1. 不考虑沟道长度调制效应和体效应 一、MOSFET的小信号模型（饱和区） VD ID 非饱和区 饱和区 VG MOS管的大信号特性 MOS管的小信号模型（饱和区） * 2. 考虑沟道长度调制效应 MOS管的小信号模型（饱和区） * 3. 考虑衬底偏置效应 MOS管的小信号模型（饱和区） 衬底偏压VBS0时，阈值电压增大 * * MOS 反相器 二、单级放大器 Vin Vout ?VIN ?VOUT