磁场直拉硅单晶生长.pdfVIP

中国科学E辑工程科学材料科学2004，34(5)：481--492 磁场直拉硅单晶生长冰 徐岳生 刘彩池 王海云 张维连 杨庆新 李养贤 任丙彦刘福贵 (河北工业大学材料学院信息功能材料研究所，天津300130) 摘要 研究了磁场直拉硅单晶生长．采用钕铁硼(NdFeB)永磁磁体，向硅熔体 T时，熔硅中杂质输运 所在空间引入Cusp磁场．当坩埚边缘磁感应强度达到0．15 受扩散控制．熔硅自由表面观察到明显的Marangoni对流；硅单晶纵向、径向电 阻率均匀性得到改善；控制Marangoni对流，可灵活控制硅单晶中的氧浓度．把 磁场拉晶同硅单晶的等效微重力生长联系起来，推导出了引入磁感应强度和对 应等效微重力等级的关系式：g=vo／v。行·g。，并针对坩埚的两种特征尺寸，进行了 直拉硅单晶等效微重力等级的计算． 关键词 等效微重力 扩散控制 Marangoni对流 直拉硅单晶向大直径发展，投料量急剧增加．生长巾6”，巾8”，巾12”和,16”硅单 晶，相应的投料量应为6