单晶硅化学蚀刻行为的研究.pdfVIP

维普资讯 第 l9卷 第 4期 腐蚀科学与防护技术 Vo1．19No．4 2007年 7月 CORROSION SCIENCEAND PROTECTION TECHNOLOGY Ju1．2007 单晶硅化学蚀刻行为的研究 文九巴，樊丽梅 ，赵胜利 ，祝要民 河南科技大学 材料科学与工程学院，洛阳471003 摘要：用HF+HNO，溶液蚀刻单 晶硅表面，通过扫描电镜表征其形貌和厚度变化，研究 了蚀刻液浓度、蚀刻时间及 温度对单晶硅化学蚀刻行为的影响．结果表明，温度对蚀刻速率的影响较大，温度升高使表面蚀刻不均匀，厚度急 剧减小；硅片的厚度及表面形貌在蚀刻液浓度大于2．0mol／L时变化较显著；室温时用 1．5mol／LHF+HNO，蚀刻 15min获得了蚀坑大小适中(1O m～15 m)、分布均匀的多孔状表面． 关键词：单晶硅片；化学蚀刻；表面形貌 中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1002-6495(2007)04-0269-03 CHEⅣⅡCAL ETCH G BEH_AVIoR oF S GLE．CRYSTAL SILICoN SLICE FAN Li—mei，WENJiu—ba，ZHAO Sheng—li，ZHU Yao—min SchoolofMaterialsScienceandEngineering，HenanUniversityofSceinceand Technology，Luoyang471003 Abstract：HF+HNO3solutionwasusedtoetch single—crystalsilicon sliceand theinfluenceofetchant concentration，etchingtimeandtemperatureonitsetchingbehaviorwereexplored．Theresultsshow that theetching temperatureshowsa sighiticna tinfl uenceon etchingrate．Etchantconcentration above2．0 mol／Lshowsstronginfluenceon thesurfacemorphologyand thicknessvariationofsiliconslice．Etching with 1．5mol／LHF+HNO3for15minat20℃isanoptimal proceduretoproduceasatisfiedsurfacewith propriateetchedpitsintermsofsizeanddistribution． Keywords：single—crystal siliconslice；chemical etching；surfacemoprholoyg 多孔硅因其比表面积大、生物活性高、可光致发光和 电 刻均匀，腐蚀过程在超声波清洗槽中进行．蚀刻后，用蒸馏水 致发光等特征被广泛应用于光电子器件…、压电电阻 j、量 冲洗，然后在沸水中煮 10min，再用二次蒸馏水超声波清洗、 热光检测 、生物芯片 等多种领域．其制备方法主要有化 凉干．H：SO 、H：0：、HF和HNO，均为分析纯．用扫描 电镜表 学腐蚀、阳极电化学腐蚀、火花腐蚀和水热腐蚀四种，其 中化 征硅片表面形貌及厚度变化． 学蚀刻操作简易，适合于大面积硅片的蚀刻和大规模生产， 故应用广泛 ．为了获得比表面积较大，表面平整的硅片 2结果与分析 作为蛋白质芯片载体，本文研究 HNO，+HF混合蚀刻液浓 2．1蚀刻液浓度对单晶硅蚀刻行为的影响 度、蚀刻时间和温度对单 晶