不同应变率下纳米多晶Cu-Ni薄膜变形行为的分子动力学模拟.pdfVIP

第43卷 第3期 材 料工 程 V01．43No．3 ofMaterials 2015年3月第60一66页 Journal Engineering Mar．2015 pp．60一66 不同应变率下纳米多晶Cu／Ni薄膜 变形行为的分子动力学模拟 Molecular SimulationsofDeformation Dynamics Behaviorsfor Films NanocrystallineCu／Ni UnderDifferent StrainRates 成聪1’2，陈尚达1’2，吴勇芝1’2，黄鸿翔1’2 (1湘潭大学材料与光电物理学院，湖南湘潭411105； 2湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室，湖南湘潭411105) CHENG Con91～，CHENShang—dal～，WUYong—zhil”，HUANGHong—xian912 (1 of and FacultyMaterials，Optoelectronics Physics，XiangtanUniversity， of 411105，Hunan，China；2 LowDimensional Xiangtan KeyLaboratory ofEducation)， MateriaIsApplicationTechnology(Ministry Xiangtan University，Xiangtan 摘要：用分子动力学方法模拟了纳米多晶Cu／Ni薄膜在不同应变率下进行应变加载时的变形行为与力学性能。结果表 明：Cu／Ni薄膜在较高的应变率加载情况下具有较高的屈服极限和应变率敏感性(m)。应变率为108s_1时Cu／Ni多层 膜的界面上产生孔洞，而应变率为10”s-1时纳米多晶Cu薄膜出现碎裂。在较高的应变率加载条件下，Cu，Ni薄膜中 率增加有利于堆垛层错的形成，但应变率超过某一值时无序原子团增加会阻碍堆垛层错原子团的生长。 关键词：分子动力学；纳米多晶；Cu／Ni薄膜；应变率 doi：10．11868／j．issn．100l一4381．2015．03．011 中图分类号：TB303文献标识码：A 文章编号：1001—4381(2015)03—0060—07 Abstract：IⅥolecularsimulationsarecarriedoutto thedeformationbehaviorsand dynamics investigate mechanical of filmsunderconditionsoftens订estrainatdifferent