带Nb膜中间层的Cu／α—Al2O3的扩散焊接.pdfVIP

维普资讯 第2l卷 第2期 焊 接 学 报 Vn1．2l No．2 2000年 6月 TR^ SACⅡONSOF rHECHINAWEU)ING s】_1rrIJ工|l10N Jutie 2O0O 刘伟平 (大连铁运军_莲 l1∞28) ElssnerG E (马昔金属研究所，德国) 摘 要： 采用扫描和透射电镜、能谱分析、x射线衍射和4点弯曲试验研究了Nb膜中 间层对单晶cu与单晶a—Ab嘎的扩散焊接特性以及接头组织和性能的影响。结果表 明，通过电子束蒸镀获得的多晶Nb膜中间层扩散焊后具有织构组织，其密排面(110)平 行于A 的(0oD1)基面。Nh膜中间层的加入显著提高了CutA】2n 扩散焊接头的断裂 能量，而扩散焊接温度可以与无Nb膜中间层时保持不变。带Nb膜中间层的CutA】2 接头所具有的高断裂自B量是由于Nb与Ak 较强的键合以及断裂时金属侧较大的塑性 变形功二者综合作用的结果。透射电镜观察表明，在 cu／A】，n 扩散焊接头的界面附近 存在大量位错。 关键词： 囤瓷一金属连接；扩散焊；界面组织；断裂能量 中图分类号：嗍 文献标识羁 A 文章编号：0253—3~x(zooo)o2—94—03 刘伟平 O 序 言 { 审问 ， cu与ALO 的连接在工业应用中具有重要意 多晶 03接长，试样装配如图1所示(整个试样包 义 ．尤其在电子器件工业中的应用。直接共晶钎焊、 含4个扩散焊界面)。扩散焊接试验是在马普金属 活性金属钎焊 以及扩散焊等可以用于 Cu与 Al2O] 研究所一台超高真空扩散焊机上进行的。该机具有 的连接。有关 Cu／A12o3界面的研究表 明，Cu／AhO] 可以独立工作的样品表面清理室 (preparationchfirm． 界面结合强度相对较差 ，其强度与铜 中含氧量及界 bet)、表面掺杂 (蒸镀)室(doping幽m出 )以及扩散 面相 (如 CuA102)的存在与否有关 J。而且，Cu／ 焊接室(bondingchamber)。被焊试样首先分别在丙 Al，O界面显微组织取决于铜中含氧量及工作气 酮和甲醇液中进行超声波清洗．并用高纯氮气吹干 氛 J，这意味着界面的不稳定性。与之相 比，Nb与 后装入焊机。在样品表面清理室．采用Ar离子轰击 Al203的结合较强，Nb与 AI20]具有相近的线膨胀系 清理所有待焊试件表面。对 cu表面采用 1．5keV 数。而且，：Co／A120 界面不存在化学反应．界面稳 轰击 25min，对 Al201表面采用 3keV轰击 30min。 ． 在表面蒸镀室，采用电子束蒸镀法(功率 9kW)在与 定。但是，采用扩散焊获得_Wo／A120接头通常需要 1300℃～1400℃以上的连接温度才能获得满意的 单晶铜相连接的单晶AI2O3表面上蒸镀一层厚度为 接头强度 。为提高Cu／A1203界面接合强度，本文以 120 180Ⅲ 的Nb膜作中间层。膜厚由石英晶体振 电子束蒸镀的Nb膜作中间层进行了cu／A】203的扩 荡器测定，蒸镀速率约为0．2nm／s。之后 ，试件移至 散焊接研究。由于 膜 中间层的加入，Cu／A12o3 焊接室进行装配定位。为保证单晶铜与单晶Ak03 接头的断裂能量显著提高 ，而扩散焊接仍可在较低 在界面上的晶体取向关系，采用激光束对晶体抛光 的温度(9o0℃)下进行。 侧面进行反射监控，取向误差可控制在 ±0．1。范围 内。扩散焊接规范系数为：焊接温度900oc，保温时 1 试验材料及方法