点阴极电场辅助阳极连接的等效电路法.pdfVIP

维普资讯 第23卷 第1期 焊 接 学 报 v01．23 N。．1 2002年2月 TRANSA(~TIONSOFTHECHINAWELDINGINSTITUTION Feburary 2002 点阴极 电场辅助阳极连接的等效电路法 周青春， 陈 铮，董师润 (华东船舶学毓．江苏 镇江 2t2o03) 摘 要： 电场辅助阳极莲接技术已成为微电子器件领域最常用的连接方法之一，但 目 前对这一技术的物理和化学机制还不十分清楚．有关的研究文章也较少，深人理解电场 辅助阳极连接过程的机制将有助于完善该技术。为此，本文用等效电路的方法研究了 点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应 ，计算了莲接电流、连接孕育期和紧密接触面 积。计人了电场辅助连接中玻璃厚度的影响，改进了Anthony的结果 ，并得出孕育期表 达式。本文结果表明，连接初期电漉迅速衰减．随后轻慢变小，直至某一稳定值 ；电场辅 助阳极连接过程初始一般都存在一个孕育期，孕育期随温度上升指数下降，连接温度高 时，孕育期将难以观察到；待连接表面之同紧密接触是实现电场辅助阳极连接的关键． 紧密接触面积随时间延长而非线性扩展，紧密接触区域增大时．其边界向外推进速度盘 来愈小，而接触面积增加渐快，最终达到待连接表面间百分之百接触。 关麓词：硼硅玻璃；点阴极；等效电路；电流；紧密接触面积 孕育期 周青春 中国分类号：TG456 文献标识码：A 文章编号：0253—360X(2002)01—37J_04 0 序 言 紧密接触…。电场辅助阳极连接的物理化学过程 十分复杂，目前关于电场辅助阳极连接中表面紧密 电场辅助阳极连接 (~ecmcfield—assisteda_ 接触过程，还缺乏深入分析。为此，本文用等效电路 nodiebonding)是在比通常热封接低的温度下连接 法从理论上研究点阴极电场辅助阳极连接中的紧密 玻璃(以下指硼硅玻璃)与金属及半导体的一种精 接触面积形成的规律及连接时产生的电流。 密连接技术，在微电子器件(如微传感器)等领域有 重要应用背景 。由于温度低 ，因而大大减小了因 l 电场辅助阳极连接的等效电路 金属和玻璃热膨胀差异引起的残余应力，且适合于 玻璃和低熔点金属如Al的连接。研究表明，电场辅 为了估计电流和电场力随时间变化关系，作者 助阳极连接过程中，玻璃中的N且 离子在 电场作用 给出平板电极电场辅助阳极连接过程的等效电路如 下不断向阴极移动，导致在阴极附近形成Nn 离子 图t所示，图中 代表 电场辅助阳极连接中玻璃的 耗尽层。这时电压主要施加在该耗尽层上 ，形成极 体电阻及界面接触电阻；c是阳极与玻璃之间的电 高的电场强度 ，3。在耗尽层中的强束缚离子在高 容。由于电场辅助阳极连接中最后的稳定漏电流非 电场下也得以迁移。氧离子的迁移和随后发生的阳 常小，所 以图中略去了漏电流。 极金属的氧化是形成界面化学结合和高强度连接的 关键 。最近，Mom2~ 等通过透射电镜观察证实 了在玻璃一可阀台金的电场辅助阳极连接时所发生 的阳极氧化反应。 为了形成玻璃一金属或玻璃一半导体界面的化 学反应 ，首先必须使玻璃与金属或半导体之间形成 C 紧密的物理接触。研究表明，电场辅助阳极连接中， 依靠玻璃与金属或半导体之间间隙中的电场产生的 田1 电场辅助阳极连接的等效电路 静 电引力即可实现两者的紧密接触，随后可通过玻 F 1 Equivateateleetrkalcircuitoftheanodl~b0ndIng 璃的弹性形变及塑性形变使待连接表面达到大