第一章开关电源分析与设计BD.ppt

一.开关电源分析与设计 1、开关电源的定义 2、近况 3、发展方向 4、基本拓扑：Buck、Boost、Buck-Boost、 Cuk，sepic拓扑 三、电路各点波形 四：主要概念与关系式 Boost变换器 Buck-Boost 一、线路组成 二、工作原理 三、电路各点波形 四、主要概念与关系式 ?uk变换器 一、线路组成 二、工作原理 三、电路各点波形 四、主要概念与关系式 开关元件及驱动和PWM控制电路 MOSFET IGBT PWM控制集成电路的选择 MOSFET 一、功率场效应管(MOSFET)的主要参数 二、功率场效应管的静态特性 三、MOSFET的体内二极管 四、一个开关周期典型波形 五、功率场效应管的驱动问题 IGBT 一、IGBT结构与工作原理 二、IGBT的静态工作特性 三、IGBT的动态特性 四、IGBT的栅极驱动及其方法 MOSFET符号，N型管和P型管 1．漏源击穿电压BVDS 2．最大漏极电流Idmax 3．阀值电压VGS(th)（又称开启电压） 4．导通电阻RDS(ON)（简写为RON） 5．跨导（互导gm 6．最高工作频率fm 7．导通时间ton和关断时间toff 8．极间电容 三个极间电容与输入电容Ciss、输出电容Coss和反馈电容Crss关系如下式所示 VMOSFET的极间电容示意图 VMOSFET的输出特性曲线 1、输出特性(如上图) 2、转移特性 3、漏——源间的导通电阻(RDS(ON))和开路电阻(RDS(ON)) RDS(ON)指的是漏极与源极间导通时的电阻。如下图所示 VMOSFET转移特性 ID-VDS(低值)特性 使体内二极管无效的线路图 功率MOSFET寄生的二极管对动态影响图 MOSFET的波形 下图示出典型的N沟道MOSFET在一个开关周期内栅极和漏极的波形 栅极驱动电压上的平台是由于漏源电压反向转换时通过密勒电容（Crss）被耦合到栅极引起的。在这期间，栅极驱动电流的波形上可以看到一个很大的脉冲。这个平台出现在电压比额定门槛电压稍高的时候，电压值为 VTH＋ID/gm。 这个平台电压也可以从MOSFET的数据手册上提供的传递函数图上确定（见下图）。对于粗略的估计，可以用门槛电压来代替这个平台电压。MOSFET数据手册提供的曲线见下图。 典型的MOSFET数据手册上的曲线 这些电容导致MOSFET开关特性上的延时。驱动电路要求能驱动容性负载。 首先．要确定使栅极电压变化时所需的电荷，这可以从上图中与栅极电压工作点对应的值相减得到。从下列式子就可以计算开关延时。 开通延时： COMS 双极型晶体管 开通延时 上升时间 开通延时： COMS 双极型晶体管 关断延时 下降时间 基于双极型器件的驱动电路比基于CMOS器件的驱动电路更可能提供MOSFET栅极所需要的电流脉冲。基于COMS器件的驱动电路工作起来更像是一个电流受限的输入输出源。开关速度是通过在驱动电路和栅极间串上一个电阻来控制的。在开关电源中，如果要求比较快的开关速度，建议不用大于27Ω的电阻， 因为它会使开关速度下阵，开关损耗明显增加。 1、一般要求 综上所述，使用MOSFET功率管比使用双极型晶体管可得到更多的好处。特别当器件用在高频时（一般在100kHz或更高），MOSFET的突出优点更会显现出来。所以一般MOSFET工作频率都很高，设计时必须采用一些预防措施，把高频时出现的问题，如寄生振荡等应于消除。 在下图(1)示出带动一个电阻负载，共源极方式的MOSFET典型电路。 MOSFET管工作在高频时，为了防止振荡，有两点必须注意。第一，尽可能减少MOSFET各端点的连线长度，特别是栅极引线。如果无法使引线缩短，则可按图(1)所示，靠近栅极处串联一个小电阻以便抑制寄生振荡。第二，由于MOSFET的输人阻抗高，驱动电源的阻抗必须比较低，以避免正反馈所引起的振荡。特别是，MOSFET的直流输人阻抗是非常高的，但它的交流输入阻抗是随频率而改变的。因此，MOSFET的驱动波形的上升和下降时间，与驱动脉冲发生器的阻抗有关。