第一章 半导体器件2.ppt

1 双极型晶体管的工作原理 晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管。 晶体管可按以下几种方式来分类 1、按参与导电的载流子种类来分 双极型晶体管：多子和少子均参与导电。 单极型晶体管：只有一种载流子参与导电。 2、按照频率来分类 高频管 3、按照半导体材料来分类 硅管 低频管 锗管 4、按照功率来分类 大功率 但从外形上看，三极管都有 中功率 三个电极 1 结构 双极型晶体管的原理结构如图2–1(a)所示。由图可见，组成晶体管的三层杂质半导体是N型—P型—N型结构，所以称为NPN管。由两个靠得很近且背靠背的PN结组成。 三个中性区： 发射区 三个电极： 发射极 基区 基极 集电区 集电极 两个结： 发射结——发射区与基区之间的PN结。简称e结。 集电结——集电区与基区之间的PN结。简称c结。 为了实现控制和放大作用，具有决定意义的一点是晶体管的三个区在结构尺寸和掺杂浓度上有很大的不同。 1、基区很薄，厚度一般只有1—几um，掺杂浓度最低； 2、另外两个掺杂区，虽然类型相同，但其中发射区的掺杂浓度远大于集电区。 2 双极型晶体管中的电流控制作用 以NPN型晶体管为例。 1、两个PN结均无外加电压 两个PN结的载流子运动处于动态平衡状态，净电流为零。 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由 , 的定义可得 ? ? 2 晶体管伏安特性曲线及参数 晶体管伏安特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线，它是三极管内部载流子运动的外部表现，对于了解晶体管的导电特性非常有用。三极管也是非线性元件，通常用伏安特性曲线对它进行描述。从使用三极管的角度来说，了接三极管的的特性比了解它的内部载流子的运动显得更为重要。在三极管的三种接法中，共发射极接法更具代表性，所以我们主要讨论共发射极伏安特性曲线。 2–2–1 晶体管共发射极特性曲线 因为有两个回路，所以晶体管特性曲线包括输入和输出两组特性曲线。这两组曲线可以在晶体管特性图示仪的屏幕上直接显示出来，也可以用图2–4电路逐点测出。 一、共发射极输入特性曲线 测量电路见图2–5。共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 典型的共发射极输入特性曲线如图2–6所示。 二、共发射极输出特性曲线 共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即 典型的共射输出特性曲线如图2–7所示。由图可见，输出特性可以划分为三个区域，对应于三种工作状态。现分别讨论如下。 1、放大区 进入放大区的条件： e结为正偏，c结为反偏 放大区在特性曲线的位置：具体到共射接法时，由于UCE=UCB+UBE，而UBE0.7V,UBC0,因此放大区在IB0，UCE0.7V的 区域中.也有把UCE=UBE（UCB=0，c结零偏）的曲线作为放大区左侧的边界。 放大区有以下三个特点： (1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用，即iB有很小的变化量ΔIB时， iC就会有很大的变化量ΔIC。为此，用共发射极交流电流放大系数β来表示这种控制能力。β定义为 2、截止区 截止区在特性曲线的位置：IE=0以下的区域为截止区。还有一种说法是IB=0以下的区域为截止区。 进入放大区的条件：∵IE=0 ∴IB′=0，ICN=0而IC=ICN+ICBO，IB=IB ′-ICBO， ∴ IB=-ICBO，IC=ICBO。因此进入截止区的条件为：e结为反偏，c结反偏 截止区的特点：IE=IB=IC=0，相当于C和E之间断路。 3、饱和区 饱和区所在的区域