模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件2.ppt

* 场效应晶体管 场效应管的特点 绝缘栅场效应管 结型场效应管 第一章 本 节 要 点 绝缘栅场效应管 结型场效应管 第四节 场效应晶体管简称场效应管，用FET来表示 （Field Effect Transistor）。 分增强型和耗尽型两类：各类又分NMOS和 PMOS两种 NMOS（D） P 衬底 N N 源极 栅极 漏极 S G D 增强型N沟道示意图 B 基底 NMOS（E） P 衬底 N N 源极 栅极 漏极 S G D 耗尽型N沟道示意图 B 基底 SiO2 SiO2 N沟道 G D S G S D B B + + 一、绝缘栅场效应管IGFET（MOS） （一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 第四节 P 衬底 N N S G D UGS UDS B ID 耗尽区 ++ ++ - - - - G D S B ID UDS UGS 反型层 工作状态示意图 1、工作原理 绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小。 第四节 2、特性曲线与电流方程 （1）输出特性 输出特性是指uGS为一固定值时，iD与uDS之间的关系，即: 输出特性分为三个区： 可变电阻区 恒流区 截止区 第四节 可变电阻区（非饱和区） Ⅰ区对应预夹断前，uGSUGS(th)，uDS很小，uGD UGS(th)的情况。 ①若uGS不变，沟道电阻rDS不变，iD随uDS的增大而线性上升。 ②uGS变大， rDS变小，看作由电压uGS控制的可变电阻。 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) 2 Ⅰ Ⅱ 第四节 恒流区（饱和区） Ⅱ区对应 预夹断后,uGS UGS(th) ，uDS很大，uGD UGS(th)的情况。 iD只受uGS控制。若uGS不变，随着uDS的增大，iD几乎不变。 预夹断轨迹方程为： 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) 2 Ⅰ Ⅱ 第四节 截止区 该区对应于uGS≤ UGS(th)的情况 由于没有感生沟道，故电流iD≈0，管子处于截止状态。 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) 2 Ⅰ Ⅱ 第四节 （2）转移特性 转移特性是指uDS为固定值时，iD与uGS之间的关系，即 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) uGS(V) iD(mA) 0 uDS=10V 1 2 3 4 5 6 UGS(th) 第四节 （2）转移特性 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) uGS(V) iD(mA) 0 uDS=10V 1 2 3 4 5 6 当FET工作在恒流区，不同uDS的转移特性曲线基本接近。 转移特性曲线方程: UGS(th) 第四节 （二）N沟道耗尽型MOS管 1.工作原理 VDD N N s g d b P iD N沟道 结构示意图 SiO2绝缘层中掺入大量的正离子。 P衬底表面已经出现反型层，存在导电沟道。 在uGS=0时 第四节 （二）N沟道耗尽型MOS管 1.工作原理 VDD N N s g d b P iD N沟道 结构示意图 当uGS0时 感生沟道加宽，iD增大。 感生沟道变窄，iD减小。 当uGS达到某一负电压值UGS(off)时，抵消了由正离子产生的电场，导电沟道消失，iD≈0， UGS(off)称为夹断电压。 当uGS0时 第四节 输出特性 转移特性 2 4 6 8 10 12 14 16 0 uGS=0V 1 -1 2 uDS(V) iD(mA) -2 2 4 6 8 10 12 iD(mA) 0 1 2 3 4 5 -1 -2 -3 2 4 6 8 10 12 uGS(V) UGS(off) IDSS uDS=10V 2.特性曲线 第四节 2.特性曲线 预夹断轨迹方程： 转移特性曲线方程： 其中IDSS是uGS=0时的iD值，称为零偏漏级电流，也称饱和漏极电流。 第四节 二、结型场效应管 JFET(Junction Field Effect Transistor) 两个P+区中间的N型半导体，在加上正向uDS电压时就有电流流过，故称为N沟道。 S-源极 g-栅极 d-漏极 N P S-源极 g-栅极 d-漏极 N P 第