MCHCW单片机HCW-.doc

MC68HC(9)08W32 单片机 1. 概述 MC68HC(9)08W32为高性能,低成本的8位MCU M68HC08家族中的一员。它基于用户定义的集成电路(CSIC)的设计思想，所有的MCU都采用增强型M68HC08 CPU，配以各种I/O模块和不同大小及类型的存储器，组成不同的单片机系列。每种单片机都有若干种封装形式。 主要特性： 高性能M68HC08结构 和M6805，M146805，M68HC05向上全兼容的代码 3.0V时，具有2.5MHz的内部总线频率 32K芯片FLASH/ROM 768字节的RAM 在片监控ROM 实时时钟：16位自动重载计数器，16位，4通道定时器接口模块（TIM） 每通道可选择为输入捕获，输出比较，PWM DTMF/MELODY发生器，振铃检测电路 2路外部中断向量引脚 使用32.768KHz的外部晶振的时钟，用PLL时钟发生器倍频 串行外部接口模块(SPI) 系统保护特性：可选的cop复位，编程的可选低电压中断(LVI)，低电压复位， 非法代码检测，非法地址检测 44脚QFP和28脚表面贴封装 低功耗设计（WAIT，STOP） 控制端或上电复位 36或20路通用I/O：13条共享I/O引脚，8位键盘唤醒，2路LED驱动 图1-1显示了MC68HC(9)08W32的结构框图。 每个MC68HC（9）08W32的模块要求要求时钟使用CGMXCLK，DTMF时钟，CGMOUTX或系统总线时钟CGMOUT。CGMOUT为PLL或CGMXCLK的2分频信号。CGMOUT来源于CGMVCLK，通过软件可选的的1，1/2，1/4，1/8的预分频。内部时钟为CGMOUT的2分频信号 2. 内存分配 内存：CPU08寻址空间64K。32488字节FLASH（MC68HC908W32）或32256字节ROM（MC68HC08W32），768字节RAM，24字节用户定义向量，240字节监控ROM。 I/O地址：地址$0000-$003F，包括大多数控制状态，数据寄存器。额外的I/O寄存器为如下地址： $FE00(SIM中断状态寄存器，SBSR） $FE01(SIM复位状态寄存器，SRSR） $FE03(SIM中断标志控制寄存器，SBFCR） $FE07(FLASH控制寄存器，FLCR） $FE08(FLASH块保护寄存器，FLBPR） $FE0C和￥FE0D(中断地址寄存器，BRKH和BRKL） $FE0E(中断状态和控制寄存器，BRKSCR） $FFFF(COP控制寄存器，COPCTL） 图1-1 MC68HC(9)08W32结构框图 图1-2引脚分布图 监控ROM 240字节为$FE10-$FEFF为保留ROM区域，包含监控功能指令。 3．随机存储内存(RAM) 地址$0080-$037F为RAM。对于RAM部分（MC68HC08W32），所有768字节可以用于用户的代码和数据。对于FLASH（MC68HC908W32）部分，768字节中的256字节保留为FLASH 编程例程。这样的话，只有512字节可用。 4．只读内存 未编程或擦除的地址为$00。ROM地址范围为：$8000-$FDFF，$FFE8-$FFFF（保留为用户定义的中断和复位向量）。 5.闪速存储器（FLASH Memory） MC68HC(9)08W32集成有片上的闪速存储器，并且有在片的电荷泵来产生编程和擦除电压，所以只需要单一的外部电源就可以实现读出、写入和擦除的全部操作。 注意: 在片的电荷泵3V为最佳工作方式. 闪速存储器为一个32K字节的可擦除的块，最小擦除单元为128字节。写入和擦除操作是通过闪速控制寄存器(FLCR)中的控制位来完成的。FLASH和在片的电荷泵设计为工作电压2.7~3.6V。以下为用户的内存和向量地址范围。 $8000-$FDFF(用户内存)$FF00-$FFE7(用户内存) $FFE8-$FFFF（中断和复位向量） FLASH控制寄存器(FLCR) 寄存器名称 位7 6 5 4 3 2 1 0 FLCR 读 0 0 0 0 HVEN MASS ERASE PGM $FE07 FLASH控制寄存器(FLCR)控制FLASH写入和擦除操作。 HVEN－高压允许位 这个可读写位用来在擦除和写入操作中将来自片内电荷泵的高压加到闪速存储上。只有当PGM或ERASE为1且后接擦除或写入/校验序列时，才能置位此位。 1 = 内部电荷泵打开，允许高压加到存储器阵列上； 0 = 内部电荷泵关闭，禁止高压加到存储器阵列上。 MASS－整体擦除控制位 当ERASE置位时，这个可读写位将闪速存储器配置成整体或块擦除方式。 1 = 选择整体擦除方式，0 = 选择块擦除方式。 ERASE－擦除控制